ADPA7005
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ADPA7005

18 GHz 至 44 GHz GaAs pHEMT 32 dBm (>1 W) MMIC 功率放大器

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产品详情
产品模型 4
特性

ADPA7005AEHZ

  • 输出P1dB:高达31 dBm(典型值)
  • PSAT:高达32 dBm(典型值)
  • 增益:高达15.5 dB(典型值)
  • 输出IP3:高达42.5 dBm(典型值)
  • 电源电压:5 V(1400 mA)
  • 50 Ω匹配输入/输出
  • 18引脚、7 mm × 7 mm LCC_HS封装
  • 集成功率检波器

ADPA7005CHIP

  • 输出P1dB:30.5 dBm(典型值,22 GHz至34 GHz时)
  • PSAT:32 dBm(典型值,22 GHz至34 GHz时)
  • 增益:17 dB(典型值,22 GHz至34 GHz时)
  • 输出IP3:41 dBm(典型值,22 GHz至34 GHz时)
  • 电源电压:5 V (1200 mA)
  • 50 Ω匹配输入/输出
  • 裸片尺寸:3.75 mm × 3.47 mm × 0.1 mm
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ADPA7005AEHZ

ADPA7005是一款集成温度补偿片内功率检波器的砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)、32 dBm饱和输出功率(PSAT) (>1 W)功率放大器,工作频率范围为18 GHz至44 GHz。ADPA7005可在32 GHz频率下提供15.5 dB的小信号增益和大约32 dBm的PSAT,采用5 V电源供电(参见数据手册中的图26)。ADPA7005在24 GHz至34 GHz范围内具有40 dBm的输出IP3,非常适合线性应用,如需要>30 dBm有效PSAT的电子对抗和仪器仪表应用。RF输入和输出进行内部匹配并经过隔直,以便轻松集成到更高电平组件中。ADPA7005采用带散热器(LCC_HS)的7 mm × 7 mm、18 引脚陶瓷无铅芯片载体封装,具有低热阻,与表贴制造技术兼容。

ADPA7005CHIP

ADPA7005CHIP是一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)分布式功率放大器,工作频率范围为20 GHz至44 GHz。该放大器提供17 dB小信号增益、30.5 dBm输出功率(1 dB压缩(P1dB))以及41 dBm典型输出三阶交调点(IP3)。ADPA7005CHIP需要采用5 V电源(VDD)提供1200 mA电流,输入和输出内部匹配50Ω,便于集成到多芯片模块(MCM)中。所有数据均由通过至少0.31 mm长的两条0.025 mm线焊连接的芯片获取。

应用

  • 军事与太空
  • 测试仪器仪表
  • 通信
产品模型 4

产品技术资料帮助

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参考资料

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特性和优点

  • 带散热器的 2 层 Rogers 4350 评估板
  • 端接型 2.9 mm RF 连接器
  • 直通校准路径

产品详情

ADPA7005-EVALZ 由采用 10 mil 厚的 Rogers 4350B 铜箔制成的双层印刷电路板 (PCB) 组成,并安装在铝制散热器上。散热器有助于为套件提供散热,以及为 PCB 提供机械支撑。散热器上的安装孔便于连接到较大的散热器,从而改善热管理。ADPA7005-EVALZ 上的 RFIN 和 RFOUT 端口由 2.9 mm 母头同轴连接器填充。各自的 RF 迹线具有 50 Ω 的特性阻抗。

ADPA7005-EVALZ 内含适合在该套件的整个 −40°C 至 +85°C 工作温度范围内使用的元件。为校准板的迹线损耗,J1 和 J2 连接器之间提供一个直通校准路径。J1 和 J2 必须填充 RF 连接器才能使用该直通校准路径。有关直通校准路径的性能,请参阅表 2 和图 3。

可以通过两个 8 引脚头部来访问电源电压、接地电压、栅极控制电压和检测器输出电压(请参阅用户指南中的表 1)。

RF 迹线为 50 Ω 接地共面波导迹线。封装接地引线和裸焊盘直接连接到接地平面。多个导通孔用于连接顶部和底部接地平面,并特别关注接地焊盘正下方的区域,以便为散热器提供充分的导电性和导热性。

ADPA7005-EVALZ 上的电源去耦电容器代表了用于表征和评定套件的配置。可能有一个示波器,用来减少电容器数量,但示波器因系统而异。建议先移除或合并离套件最远的最大电容器。

工具和仿真

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