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概览

优势和特点

  • OP1dB:18 dBm(典型值,7 GHz至12 GHz时)
  • PSAT:22 dBm(典型值,7 GHz至12 GHz时)
  • 增益:12 dB(典型值,7 GHz至12 GHz时)
  • OIP3:30 dBm(典型值)
  • 相位噪声:-172 dBc/Hz(10 kHz失调时)
  • 电源电压:5 V (74 mA)
  • 6引脚、2 mm × 2 mm LFCSP

产品详情

ADL8150是一款自偏置砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、异质结双极性晶体管(HBT)、低相位噪声放大器,工作频率范围为6 GHz至14 GHz。该放大器提供13 dB增益,1 dB增益压缩(P1dB)时19 dBm的输出功率,7 GHz至11 GHz时31.5 dBm的输出三阶交调点(IP3)。此放大器采用5 V电源(VCC)供电,提供76 mA静态集电极电流(ICQ)。

ADL8150还具有内部匹配至50 Ω的输入和输出 (I/O),可轻松集成到多芯片模块(MCMs)中。所有数据均由通过0.025 mm (1 mil)宽和0.31 mm (12 mil)长的两条线焊连接的芯片获取。

应用

  • 军事与太空
  • 测试仪器仪表
  • 通信

产品生命周期 icon-recommended 推荐新设计使用

本产品已上市。数据手册包含所有最终性能规格和工作条件。ADI公司推荐新设计使用这些产品。

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设计资源

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Part Number Material Declaration Reliability Data Pin/Package Drawing CAD Symbols, Footprints & 3D Models
ADL8150ACHIP 材料声明 质量和可靠性 CHIPS OR DIE
ADL8150ACPZN 材料声明 质量和可靠性 6-Lead LFCSP (2mm x 2mm)
ADL8150ACPZN-R7 材料声明 质量和可靠性 6-Lead LFCSP (2mm x 2mm)
ADL8150CHIP-SX 材料声明 质量和可靠性 CHIPS OR DIE
Wafer Fabrication Data

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