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优势和特点
产品详情

优势和特点

OP1dB：18 dBm（典型值，7 GHz至12 GHz时）
P_SAT：22 dBm（典型值，7 GHz至12 GHz时）
增益：12 dB（典型值，7 GHz至12 GHz时）
OIP3：30 dBm（典型值）

相位噪声：-172 dBc/Hz（10 kHz失调时）
电源电压：5 V (74 mA)
6引脚、2 mm × 2 mm LFCSP

产品详情

ADL8150是一款自偏置砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、异质结双极性晶体管(HBT)、低相位噪声放大器，工作频率范围为6 GHz至14 GHz。该放大器提供13 dB增益，1 dB增益压缩(P1dB)时19 dBm的输出功率，7 GHz至11 GHz时31.5 dBm的输出三阶交调点(IP3)。此放大器采用5 V电源(V_CC)供电，提供76 mA静态集电极电流(I_CQ)。

ADL8150还具有内部匹配至50 Ω的输入和输出 (I/O)，可轻松集成到多芯片模块(MCMs)中。所有数据均由通过0.025 mm (1 mil)宽和0.31 mm (12 mil)长的两条线焊连接的芯片获取。

应用

军事与太空
测试仪器仪表
通信

产品分类

RF和微波
- 低相位噪声放大器

放大器
- 驱动放大器

领域

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产品生命周期推荐新设计使用

本产品已上市。数据手册包含所有最终性能规格和工作条件。ADI公司推荐新设计使用这些产品。

评估套件 (1)

EVAL-ADL8150

评估 6 GHz 至 14 GHz、ADL8150 GaAS、HBT、MMIC、低相位噪声放大器

EVAL-ADL8150

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ADL8150-EVALZ 由用 10 mil 厚的 Rogers 4350B 和 Isola 370HR 铜箔制成的 4 层印刷电路板 (PCB) 组成，形成 62 mil 的标称厚度。ADL8150-EVALZ 上的 RF_IN 和 RF_OUT 端口接入 2.9 mm 母头同轴连接器，其各自的 RF_IN 和 RF_OUT 迹线都具有 50 Ω 特性阻抗。ADL8150-EVALZ 装有适合在 ADL8150 的整个 -40°C 至 + 85°C 工作温度范围内使用的组件。为校准板的回溯损耗，J1 和 J2 连接器之间提供一个直通校准路径。J1 和 J2 必须安装 RF 连接器，才能使用该直通校准路径。有关直通校准路径的性能，请参阅表 2 和图 3。

在 ADL8150-EVALZ 中，集成了一个具有超低噪声、超高电源电压抑制比 (PSRR) 的线性稳压器。该低噪声调节器提供了干净的电源，来对 ADL8150 进行偏置。

ADL8150-EVALZ 上的 RF_IN 和 RF_OUT 迹线为 50 Ω、接地共面波导。封装接地引线和裸焊盘直接连接到接地平面。多个导通孔连接顶部和底部接地平面，并特别关注接地焊盘正下方的区域，以便提供充分的导电性和导热性。

ADL8150-EVALZ 上的电源去耦电容器代表了用于表征和评定套件的配置。有关 ADL8150 的完整详细信息，请参阅 ADL8150 数据手册，在使用 ADL8150-EVALZ 时，必须同时参阅该数据手册和本用户指南。