概览
优势和特点
- 超低导通电阻:
0.5 Ω(典型值)
小于0.8 Ω(最大值,5 V电源) - 出色的失真性能:
0.01 Ω(典型值)
0.2 Ω(最大值,导通电阻RON 平坦度) - 单电源:+1.8 V至+5.5 V
- 高载流能力:
400mA (连续电流)
600mA (峰值电流,5V)
- 扩展温度范围:+125°
- 轨到轨工作
- 典型功耗:<0.01 μW
- TTL/CMOS兼容型输入
产品详情
ADG849是一款单芯片CMOS单刀双掷(SPDT)开关,采用+1.8 V至5.5 V电源供电。它具有超低导通电阻,典型值为0.5 Ω,因此非常适合要求极低开关失真的应用。ADG849还能够载送大量电流;采用5 V电源供电时,载流能力典型值为600 mA。
接通时,ADG849的各开关在两个方向的导电性能相同。该器件为先开后合式,从而可防止开关通道时发生瞬时短路。
ADG849提供6引脚小型SC70封装,因而非常适合空间受限的应用。
产品分类
产品生命周期
量产
该产品系列中至少有一个型号已量产并可供采购。该产品适合用于新设计,但也可能有更新的替代产品。
评估套件 (1)
文档
参考电路 (1)
参考资料
产品选型手册 (1)
参考电路 (1)
设计资源
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