概览
优势和特点
- 超低导通电阻：
0.5 Ω（典型值）
小于0.8 Ω（最大值，5 V电源） - 出色的失真性能：
0.01 Ω（典型值）
0.2 Ω（最大值，导通电阻RON 平坦度） - 单电源：+1.8 V至+5.5 V
- 高载流能力:
400mA （连续电流）
600mA （峰值电流，5V）
- 扩展温度范围：+125°
- 轨到轨工作
- 典型功耗：<0.01 μW
- TTL/CMOS兼容型输入
产品详情
ADG849是一款单芯片CMOS单刀双掷（SPDT）开关，采用+1.8 V至5.5 V电源供电。它具有超低导通电阻，典型值为0.5 Ω，因此非常适合要求极低开关失真的应用。ADG849还能够载送大量电流；采用5 V电源供电时，载流能力典型值为600 mA。
接通时，ADG849的各开关在两个方向的导电性能相同。该器件为先开后合式，从而可防止开关通道时发生瞬时短路。
ADG849提供6引脚小型SC70封装，因而非常适合空间受限的应用。
产品分类
产品生命周期
量产
该产品系列中至少有一个型号已量产并可供采购。该产品适合用于新设计，但也可能有更新的替代产品。
评估套件 (1)
文档
参考电路 (1)
参考资料
产品选型手册 (1)
参考电路 (1)
设计资源
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