概览

优势和特点

  • 超低导通电阻:
    0.5 Ω(典型值)
    小于0.8 Ω(最大值,5 V电源)
  • 出色的失真性能:
    0.01 Ω(典型值)
    0.2 Ω(最大值,导通电阻RON 平坦度)
  • 单电源:+1.8 V至+5.5 V
  • 高载流能力:
    400mA (连续电流)
    600mA (峰值电流,5V)
  • 扩展温度范围:+125°
  • 轨到轨工作
  • 典型功耗:<0.01 μW
  • TTL/CMOS兼容型输入

产品详情

ADG849是一款单芯片CMOS单刀双掷(SPDT)开关,采用+1.8 V至5.5 V电源供电。它具有超低导通电阻,典型值为0.5 Ω,因此非常适合要求极低开关失真的应用。ADG849还能够载送大量电流;采用5 V电源供电时,载流能力典型值为600 mA。

接通时,ADG849的各开关在两个方向的导电性能相同。该器件为先开后合式,从而可防止开关通道时发生瞬时短路。

ADG849提供6引脚小型SC70封装,因而非常适合空间受限的应用。

产品生命周期 icon-recommended 量产

该产品系列中至少有一个型号已量产并可供采购。该产品适合用于新设计,但也可能有更新的替代产品。

评估套件 (1)

工具及仿真模型

SPICE模型

设计工具

ADIsimPE 由SIMetrix/SIMPLIS支持

ADIsimPE线性和混合信号电路仿真器–个人版

参考电路 (1)

设计资源

ADI始终把满足您最高可靠性水平的产品放在首要位置。我们通过在所有产品、工艺设计和制造过程中引入高质量和可靠性检查实践这一承诺。发运的产品实现“零缺陷”始终是我们的目标。

PCN-PDN信息

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