AD8655
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AD8655

低噪声、精密CMOS放大器

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特性
  • 低噪声:
    2.7 nV/√Hz (f = 10 kHz)
  • 低失调电压:
    Vcm上最大为250 μV
  • 低失真: 0.0008%
  • 失调电压漂移:
    0.4 μV/°C(典型值);2.3 μV/°C(最大值)
  • 带宽: 28 MHz
  • 轨到轨输入/输出
  • 单位增益稳定
  • 电源电压:2.7 V至5.5 V
  • 工作温度:−40°C至+125°C
  • 通过汽车应用认证
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AD8655/AD8656是精密CMOS放大器,具有业界较低的噪声。 二者采用ADI的DigiTrim®技术,以获得高dc精度。

AD8655/AD8656为低压应用提供低噪声(10 kHz时为2.7 nV/√Hz)、低THD + N (0.0007%)及高精度性能(VCM上最大为250 μV)。 此外还具有轨到轨输入和输出摆幅能力,使设计人员可以在单电源系统中缓冲模数转换器(ADC)及其它宽动态范围器件。

在低压应用中,AD8655/AD8656的高精度性能可以改善分辨率和动态范围。 麦克风前置放大器和调音台等音频应用均受益于AD8655/AD8656的低噪声、低失真和高输出电流能力,可降低系统级噪声,并确保音频保真度。 AD8655/AD8656的高精度以及轨到轨输入和输出则有益于数据采集、过程控制和PLL滤波器应用。

AD8655/AD8656额定温度范围为−40°C至+125°C。 AD8655/AD8656提供无铅、8引脚MSOP和SOIC封装。 AD8655/AD8656均可用于汽车应用。



应用

  • ADC和DAC缓冲器
  • 音频
  • 工业控制
  • 精密滤波器
  • 数字秤
  • 汽车防撞
  • PLL滤波器
  • 产品技术资料帮助

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    ADI公司所提供的资料均视为准确、可靠。但本公司不为用户在应用过程中侵犯任何专利权或第三方权利承担任何责任。技术指标的修改不再另行通知。本公司既没有含蓄的允许,也不允许借用ADI公司的专利或专利权的名义。本文出现的商标和注册商标所有权分别属于相应的公司。

    参考资料

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    产品生命周期

    PCN

    5月 8, 2023

    - 23_0068

    Qualification of Alternate Wafer Fab Site at ADI Limerick for 0.6um CMOS Amplifier Product

    AD8655ARMZ

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    3月 22, 2021

    - 21_0001

    Addition of Amkor Philippines as an Alternate Site for Singulated MSOP and MSOP_EP

    1月 5, 2015

    - 14_0246

    Qualification of ASE Chungli, as an Alternate Assembly Site for Select MSOP Devices

    5月 15, 2012

    - 10_0006

    Halogen Free Material Change for mini SOIC Products

    10月 23, 2009

    - 09_0153

    Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co. Ltd. (JCET) and Advanced Semiconductor Engineering (ASE) as additional Assembly Subcontractors for 8L SOIC, 8L MSOP, 16L TSSOP and 8L PDIP.

    8月 19, 2009

    - 07_0024

    Package Material Changes for SOT23, MiniSO, MQFP, PDIP, PLCC, SOIC (narrow and wide body), SSOP, TSSOP and TSSOP exposed pad

    AD8655ARMZ

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    AD8655ARZ-REEL7

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    7月 20, 2012

    - 12_0105

    Halogen Free Material Change for Select SOIC Narrow and Wide Body Products Assembled at Amkor

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