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AD648S: Military Data Sheet8/11/2020
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AD648S: Dual Precision,Low Power BiFET Op Amp DIE Data Sheet8/7/2020PDF147 K
概览
优势和特点
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产品详情
AD648是一对匹配的低功耗、精密、单芯片运算放大器, 偏置电流(最大10 pA,预热状态)和静态电流(最大400 µA)均非常低,采用离子植入FET和激光调整技术制造。在AD648的整个共模电压范围内,保证输入偏置电流符合额定性能。
AD648推荐用于要求低功耗和出色直流与交流性能的双电源运算放大器应用。在电池供电的精密仪器前端和CMOS DAC缓冲器等应用中,AD648的低输入失调电压和漂移、低偏置电流以及低1/f噪声这些特性的优质组合可降低输出误差。 在高阻抗缓冲应用中,其高共模抑制和高开环增益可保证12位以上的线性度。
产品生命周期
量产
该产品系列中至少有一个型号已量产并可供采购。该产品适合用于新设计,但也可能有更新的替代产品。
参考资料
设计资源
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Part Number | Material Declaration | Reliability Data | Pin/Package Drawing | CAD Symbols, Footprints & 3D Models |
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5962-9753501VGA | 材料声明 | 质量和可靠性 | 8 ld Header | |
5962-9753501VPA | 材料声明 | 质量和可靠性 | 8 ld Header | |
5962-9753502VGA | 材料声明 | 质量和可靠性 | 8 ld Header | |
5962-9753502VPA | 材料声明 | 质量和可靠性 | 8 ld Header | |
AD648-000C | 材料声明 | 质量和可靠性 | CHIPS OR DIE | |
Wafer Fabrication Data |
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