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AD648: Dual Precision, Low Power BiFET Op Amp Data Sheet (Rev. E)10/9/1986PDF204 kB
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概览
优势和特点
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产品详情
AD648是一对匹配的低功耗、精密、单片运算放大器，偏置电流（最大10 pA，预热状态）和静态电流（最大400 µA）均非常低，采用离子植入FET和激光调整技术制造。在AD648的整个共模电压范围内，保证输入偏置电流符合额定性能。
经济型J级的最大保证失调电压低于2 mV，失调电压漂移低于20 µV/°C。低静态电流和低失调电压漂移使得自热效应导致的输入失调电压变化非常小。
AD648推荐用于要求低功耗和出色直流与交流性能的双电源运算放大器应用。在电池供电的精密仪器前端和CMOS DAC缓冲器等应用中，AD648的低输入失调电压和漂移、低偏置电流以及低1/f噪声这些特性的较佳组合可降低输出误差。在高阻抗缓冲应用中，其高共模抑制和高开环增益可保证12位以上的线性度。
AD648采用标准双通道运算放大器引脚排列配置，按性能分为七种等级。AD648J和AD648K的额定温度范围为0°C至+70°C商用温度范围。
AD648提供8引脚小型塑封DIP和SOIC两种封装。
产品生命周期
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评估套件 (1)
参考资料
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AN-357: Operational Integrators2/14/2015PDF272 kB
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MT-092：静电放电(ESD)4/7/2009PDF800 kB
设计资源
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| Part Number | Material Declaration | Reliability Data | Pin/Package Drawing | CAD Symbols, Footprints & 3D Models |
|---|---|---|---|---|
| AD648JNZ | 材料声明 | 质量和可靠性 | 8-Lead PDIP | |
| AD648JRZ | 材料声明 | 质量和可靠性 | 8-Lead SOIC | |
| AD648JRZ-REEL | 材料声明 | 质量和可靠性 | 8-Lead SOIC | |
| AD648JRZ-REEL7 | 材料声明 | 质量和可靠性 | 8-Lead SOIC | |
| AD648KNZ | 材料声明 | 质量和可靠性 | 8-Lead PDIP | |
| AD648KRZ | 材料声明 | 质量和可靠性 | 8-Lead SOIC | |
| Wafer Fabrication Data |
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