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特性
- 低成本模数转换
- 多功能输入放大器
- 正或负电压模式
- 负电流模式
- 高输入阻抗、低漂移 - 单电源供电：5 V至36 V
- 线性度：±0.05% FS
- 低功耗：1.2 mA静态电流
- 满量程频率最高达100 kHz
- 1.00 V 基准电压
- 温度计输出(1 mV/K)
- F-V 应用
- 提供符合MIL-STD-883标准的版本
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AD537是一款单芯片V/F转换器，由输入放大器、精密振荡器系统、精确内部基准电压发生器和高电流输出级组成。它只需要一个外部RC网络，即可设置最高100 kHz的任意满量程(F.S.)频率和最高±30 V的任意F.S.输入电压。在10 kHz F.S.时，线性误差仅为±0.05%，保证工作动态范围为80 dB。整体温度系数（不包括外部元件的影响）典型值为±30 ppm/°C。AD537采用5 V至36 V单电源供电，功耗仅为1.2 mA静态电流。
输出与温度成比例，比例调整为1.00 mV/K，因此电路可用作可靠的温度频率转换器；结合1.00 V的固定基准电压输出，可产生偏置量程，如0°C和0°F。
低漂移（典型值1µV/°C）输入放大器可以直接采用小信号（例如来自热电偶或应变计）工作，同时提供高输入阻抗（250 MΩ)。与大多数V/F转换器不同，AD537提供方波输出，可以驱动最多12个TTL负载、LED、长电缆或类似负载。
AD537采用初级带隙基准电压发生器和低T.C.硅铬薄膜电阻，因而得以保证出色的温度特性和长期稳定性。
该器件提供密封TO-116陶瓷DIP封装或密封TO-100金属帽壳封装。
AD537按性能/温度分为三种等级；J和K的额定工作温度范围为0°C至+70°C，而AD537S则为-55°C至+125°C扩展温度范围。
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AD537
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产品技术资料帮助
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参考资料
数据手册 1
应用笔记 6
AN-276: Analog to Digital Conversion by Using V/F Converters
AN-361: Ask the Applications Engineer (V/F Converters)
AN-277: Applications for the AD537 Voltage to Frequency Converter
AN-343: Circuit Ideas for IC Converters
AN-280: Mixed Signal Circuit Technologies
AN-276: Analog-to-Digital Conversion Using Voltage-to-Frequency Converters
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。
| 产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号，脚注和 3D模型 |
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| AD537JCHIPS | none available |
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| AD537JD |
14-Lead Side Brazed CerDIP
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| AD537JH |
10-Lead TO-100
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| AD537KD |
14-Lead Side Brazed CerDIP
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| AD537KH |
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| AD537SD |
14-Lead Side Brazed CerDIP
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| AD537SD/883B |
14-Lead Side Brazed CerDIP
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| AD537SH |
10-Lead TO-100
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| AD537SH/883B |
10-Lead TO-100
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- AD537JCHIPS
- 引脚/封装图-中文版
- none available
- 文档
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- CAD 符号，脚注和 3D模型
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- AD537JD
- 引脚/封装图-中文版
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14-Lead Side Brazed CerDIP
- 文档
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- CAD 符号，脚注和 3D模型
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- AD537JH
- 引脚/封装图-中文版
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10-Lead TO-100
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- CAD 符号，脚注和 3D模型
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- AD537KD
- 引脚/封装图-中文版
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14-Lead Side Brazed CerDIP
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- AD537KH
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- CAD 符号，脚注和 3D模型
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- AD537SD
- 引脚/封装图-中文版
-
14-Lead Side Brazed CerDIP
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- AD537SD/883B
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- AD537SH/883B
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SamacSys
根据型号筛选
产品型号
产品生命周期
PCN
10月 25, 2012
- 12_0266
AD537: Wilmington Bipolar Process Change From 4" to 6" Wafer Diameter
AD537JCHIPS
AD537JD
AD537JH
AD537KD
AD537KH
AD537SD
AD537SD/883B
AD537SH
AD537SH/883B
9月 5, 2012
- 12_0066
Add capacity for Burn In of Hermetic, 883 & QMLQ/Class B devices at TSSI Cavite
AD537JD
AD537KD
11月 9, 2011
- 11_0050
Transfer of ADI Hermetics Assembly location from Paranaque, Manila to General Trias, Cavite Philippines
AD537JD
AD537JH
AD537KD
AD537KH
AD537SD
AD537SD/883B
AD537SH
AD537SH/883B
11月 9, 2011
- 11_0182
Test Site Transfer from Analog Devices Philippines Inc in Paranaque to Analog Devices General Trias in Cavite, Philippines
AD537JD
AD537JH
AD537KD
AD537KH
AD537SD
AD537SD/883B
AD537SH
AD537SH/883B
4月 9, 2018
- 16_0026
Qualify TeamQuest Technology, Inc. for Burn-in and Life Test of Military and Aerospace Devices
AD537SD/883B
AD537SH/883B
6月 6, 2012
- 12_0066
Add capacity for Burn In of Hermetic, 883 & QMLQ/Class B devices at TSSI Cavite
AD537SD/883B
AD537SH
AD537SH/883B
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AD537: Wilmington Bipolar Process Change From 4" to 6" Wafer Diameter
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AD537SD/883B
AD537SH
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9月 5, 2012
- 12_0066
Add capacity for Burn In of Hermetic, 883 & QMLQ/Class B devices at TSSI Cavite
11月 9, 2011
- 11_0050
Transfer of ADI Hermetics Assembly location from Paranaque, Manila to General Trias, Cavite Philippines
AD537JD
AD537JH
AD537KD
AD537KH
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AD537SD/883B
AD537SH
AD537SH/883B
11月 9, 2011
- 11_0182
Test Site Transfer from Analog Devices Philippines Inc in Paranaque to Analog Devices General Trias in Cavite, Philippines
AD537JD
AD537JH
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AD537SD/883B
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- 16_0026
Qualify TeamQuest Technology, Inc. for Burn-in and Life Test of Military and Aerospace Devices
6月 6, 2012
- 12_0066
Add capacity for Burn In of Hermetic, 883 & QMLQ/Class B devices at TSSI Cavite
AD537SD/883B
AD537SH
AD537SH/883B