HMC755
过期1 W功率放大器，采用SMT封装，2.3 - 2.8 GHz
- 产品模型
- 1
产品详情
- 高增益： 31 dB
- 高PAE： 28% (+33 dBm Pout) t
- 低EVM： 2.5% (Pout = +25 dBm)，具有54 Mbps OFDM信号
- 高输出IP3： +43 dBm
- 集成式检波器和功率控制
- 24引脚4x4mm QFN封装： 16mm
HMC755LP4E是一款高增益、高线性度GaAs InGaP HBT MMIC功率放大器，工作频率范围为2.3至2.8 GHz。 该放大器采用+5V单电源，增益为31 dB，饱和功率为+33 dBm。 功率控制引脚(VEN1, 2, 3)可用于降低RF输出功率/静态电流，或用于全省电模式PA控制。集成式输出功率检波器(VDET)内部耦合，无需外部元件。 对于+25 dBm OFDM输出功率(64 QAM, 54 Mbps)，HMC755LP4E可实现仅为2.5%的误差矢量幅度(EVM)，使其非常适合WiMAX/LTE/4G应用。 该放大器采用紧凑型QFN SMT封装，只需极少的外部匹配元件。
应用
- 蜂窝/3G和LTE/4G
- WiMAX、WiBro和固定无线
- 军事和SATCOM
- 测试设备
推荐替代产品
InGaP HBT功率放大器SMT，2.2 - 2.8 GHz
参考资料
停产数据手册 1
质量文档 2
磁带和卷轴规格 1
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。
| 产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号，脚注和 3D模型 |
|---|---|---|---|
| HMC755LP4ETR | 24-Lead QFN (4mm x 4mm w/ EP) |
| 产品型号 | 产品生命周期 | PCN |
|---|---|---|
|
12月 14, 2015 - 15_0026 Discontinuance of Select Hittite Microwave Products (HMC) from Analog Devices |
||
| HMC755LP4ETR | 过期 | |
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| 部分模型 | 产品周期 | 描述 |
|---|---|---|
| HMC414 | 推荐用于新设计 |
InGaP HBT功率放大器SMT，2.2 - 2.8 GHz |
工具及仿真模型
S-参数 1
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资料
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