HMC520A

6 GHz至10 GHz、GaAs、MMIC、I/Q混频器

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概述

射频(RF)范围：6 GHz至10 GHz
本振(LO)输入频率范围：6 GHz至10 GHz
转换损耗：典型值8 dB（6 GHz至10 GHz时）
镜像抑制：典型值23 dBc（6 GHz至10 GHz时）
LO至RF隔离：43 dB（典型值）
LO至中频(IF)隔离：25 dB（典型值）
输入三阶交调截点(IP3)：19 dBm（典型值）
针对1 dB压缩(P1dB)的输入功率：典型值10 dBm（7.1 GHz至8.5 GHz时）
宽IF频率范围：DC至3.5 GHz
24引脚、4 mm × 4 mm、陶瓷无铅芯片载体封装

HMC520A是一款砷化镓(GaAs)单芯片微波集成电路(MMIC)、同相正交(I/Q)混频器，采用符合RoHS标准的24引脚、陶瓷无铅芯片载体(LCC)封装。该器件可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。该混频器使用两个标准双平衡混频器单元和一个90°混合器件，均采用GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺。HMC520A为混合型镜像抑制混频器和单边带上变频器组件的小型替代器件。HMC520A无需线焊，可以使用表贴制造技术。

应用