ADRF5716
推荐用于新设计硅数字衰减器，2 位，100 MHz 至 30 GHz
- 产品模型
- 2
概述
- 超宽带频率范围：0.1 GHz 至 30 GHz
- 衰减范围：最高 48 dB，步进为 16 dB
- 低插入损耗
- 1.6 dB (8 GHz)
- 2.2 dB (18 GHz)
- 2.9 dB (30 GHz)
- 衰减精度
- ±（0.25 + 3.6 % 的衰减状态）dB，通常高达 8 GHz
- ±（0.10 + 1.8 % 的衰减状态）dB，通常高达 18 GHz
- ±（0.50 + 2.8% 的衰减状态）dB，通常高达 30 GHz
- 典型步进误差
- ± 0.7 dB 典型值，最高 8 GHz
- ±1.0 dB 典型值，最高 18 GHz
- ±1.5 dB 典型值，最高 30 GHz
- 高输入线性度
- P0.1dB 插入损耗状态：30 dBm（典型值）
- P0.1dB 其他衰减状态：30 dBm（典型值）
- IIP3：50 dBm（典型值）
- 高 RF 功率处理能力
- 平均值为 30 dBm
- 峰值为 33 dBm
- RF 幅度建立时间（0.1 dB 最终 RFOUT）：130 ns
- 支持单电源工作
- 在相对相位中实现紧密分布
- 无低频杂散信号
- 并行模式控制，与 CMOS-/LVTTL 兼容
- 20 端子 3 mm × 3 mm 岸面栅格阵列 [LGA]
ADRF5716 是一款 2 位硅数字衰减器，具有 48 dB 衰减控制范围（步长为 16 dB），支持无干扰操作。
该套件的工作频率范围为 100 MHz 至 30 GHz，具有优于 2.9 dB 的插入损耗和高于 1.5 dB 的衰减精度。ADRF5716 的 ATTIN 端口在所有状态下均具有 30 dBm 平均和 33 dBm 峰值的 RF 输入功率处理能力。
ADRF5716 需要 +3.3 V 和 −3.3 V 的双电源电压。此套件具有并行模式控制以及与互补金属氧化物半导体 (CMOS)/低电压晶体管-晶体管逻辑 (LVTTL) 兼容的控制。
ADRF5716 也可以在单个正电源电压 (VDD) 下工作，同时负电源电压 (VSS) 接地。有关更多详细信息，请参见数据手册的“工作原理”部分。
ADRF5716 射频端口旨在匹配 50 Ω 的特性阻抗。ADRF5716 采用符合 RoHS 标准的 20 端子 3 mm × 3 mm 岸面栅格阵列 [LGA] 封装，并可在 −40°C 至 +105°C 的温度范围内工作。
应用
参考资料
数据手册 1
用户手册 1
视频 1
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| 产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号，脚注和 3D模型 |
|---|---|---|---|
| ADRF5716BCCZN | 20-lead LGA (3mm × 3mm) | ||
| ADRF5716BCCZN-R7 | 20-lead LGA (3mm × 3mm) |
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