ADRF5519

推荐用于新设计

双通道，2.3 GHz至2.8 GHz，20 W接收器前端

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概述

  • 集成式双通道 RF 前端
    • 2 级 LNA 和高功率硅 SPDT 交换芯片
    • 片内偏置和匹配
    • 单电源供电
  • TCASE = 105°C 时具有高功率处理能力
    • LTE 平均功率 (9 dB PAR) 整个生命周期：43 dBm
  • 增益
    • 高增益模式：2.6 GHz 时为 35 dB（典型值）
    • 低增益模式：2.6 GHz 时为 14 dB（典型值）
  • 低噪声指数
    • 高增益模式：2.6 GHz 时为 1.0 dB（典型值）
    • 低增益模式：2.6 GHz 时为 1.0 dB（典型值）
  • 高隔离
    • RXOUT-CHA 和 RXOUT-CHB：45 dB（典型值）
    • TERM-CHA 和 TERM-CHB：60 dB（典型值）
  • 低插入损耗：2.6 GHz 时为 0.5 dB（典型值）
  • 高 OIP3：32 dBm（典型值）
  • 关断模式和低增益模式
  • 低电源电流
    • 高增益模式：5 V 时为 110 mA（典型值）
    • 低增益模式：5 V 时为 36 mA（典型值）
    • 关断模式：5 V 时为 12 mA（典型值）
  • 正逻辑控制
  • 6 mm × 6 mm 40 引脚 LFCSP 封装
  • 引脚与 ADRF5545A 和 ADRF5549 10 W 版本兼容

ADRF5519是一款双通道集成式RF前端多芯片模块，专为工作频率为2.3 GHz至2.8 GHz的时分双工 (TDD) 应用而设计。ADRF5519采用双通道配置，包含级联两级低噪声放大器 (LNA) 和高功率硅单刀双掷 (SPDT) 开关。

在高增益模式下，级联两级LNA和开关提供1.0 dB的低噪声指数(NF)和35 dB的高增益（频率为2.6 GHz）以及32 dBm（典型值）的输出3阶交调点(OIP3)。在低增益模式下，两级LNA的一级处于旁路状态，在36 mA的较低电流下提供14 dB的增益。在关断模式下，LNA都会关闭且器件功耗为12 mA。

在传输操作中，RF输入连接到终端引脚（ANT-CHA或ANT-CHB分别连接到TERM-CHA或TERM-CHB）。该开关提供0.5 dB的低插入损耗，并在整个生命周期内处理43 dBm的长期演进 (LTE) 平均功率（9 dB峰值/平均值比 (PAR)）。

该器件采用符合RoHS标准的紧凑型6 mm × 6 mm 40引脚LFCSP封装。

应用

  • 无线基础设施
  • TDD大规模多路输入和多路输出以及有源天线系统
  • 基于TDD的通信系统

    •
    ADRF5519
    双通道，2.3 GHz至2.8 GHz，20 W接收器前端
    ADRF5519 - Functional Block Diagram ADRF5519 - Pin Configuration
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    特性和优点

    • 适用于 ADRF5519 的功能完备的评估板。
    • 轻松连接到测试设备
    • 直通校准线

    产品详情

    ADRF5519 是一款集成的、双通道、2.3 GHz 至 2.8 GHz、20 W 接收器前端，非常适合于时分双工 (TDD) 无线基础设施应用。ADRF5519 的每个通道上均具有一个高功率交换芯片和一个双级低噪声放大器。

    该用户指南介绍了用于轻松评估 ADRF5519 的特性和性能的 ADRF5519-EVALZ 评估板。图 1 显示了 ADRF5519-EVALZ 评估板的照片。

    ADRF5519 数据手册提供了 ADRF5519 的完整规格。使用 ADRF5519-EVALZ 时，应同时参阅 ADRF5519 数据手册和本用户指南。
    EVAL-ADRF5519
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    ADRF5519 - Evaluation Board - Angle ADRF5519 - Evaluation Board - Bottom ADRF5519 Evaluation Board - Top

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