概览

优势和特点

  • 集成式双通道 RF 前端
    • 2 级 LNA 和高功率硅 SPDT 交换芯片
    • 片内偏置和匹配
    • 单电源供电
  • TCASE = 105°C 时具有高功率处理能力
    • LTE 平均功率 (9 dB PAR) 整个生命周期:43 dBm
  • 增益
    • 高增益模式:2.6 GHz 时为 35 dB(典型值)
    • 低增益模式:2.6 GHz 时为 14 dB(典型值)
  • 低噪声指数
    • 高增益模式:2.6 GHz 时为 1.0 dB(典型值)
    • 低增益模式:2.6 GHz 时为 1.0 dB(典型值)
  • 高隔离
    • RXOUT-CHA 和 RXOUT-CHB:45 dB(典型值)
    • TERM-CHA 和 TERM-CHB:60 dB(典型值)
  • 低插入损耗:2.6 GHz 时为 0.5 dB(典型值)
  • 高 OIP3:32 dBm(典型值)
  • 关断模式和低增益模式
  • 低电源电流
    • 高增益模式:5 V 时为 110 mA(典型值)
    • 低增益模式:5 V 时为 36 mA(典型值)
    • 关断模式:5 V 时为 12 mA(典型值)
  • 正逻辑控制
  • 6 mm × 6 mm 40 引脚 LFCSP 封装
  • 引脚与 ADRF5545AADRF5549 10 W 版本兼容

产品详情

ADRF5519是一款双通道集成式RF前端多芯片模块,专为工作频率为2.3 GHz至2.8 GHz的时分双工 (TDD) 应用而设计。ADRF5519采用双通道配置,包含级联两级低噪声放大器 (LNA) 和高功率硅单刀双掷 (SPDT) 开关。

在高增益模式下,级联两级LNA和开关提供1.0 dB的低噪声指数(NF)和35 dB的高增益(频率为2.6 GHz)以及32 dBm(典型值)的输出3阶交调点(OIP3)。在低增益模式下,两级LNA的一级处于旁路状态,在36 mA的较低电流下提供14 dB的增益。在关断模式下,LNA都会关闭且器件功耗为12 mA。

在传输操作中,RF输入连接到终端引脚(ANT-CHA或ANT-CHB分别连接到TERM-CHA或TERM-CHB)。该开关提供0.5 dB的低插入损耗,并在整个生命周期内处理43 dBm的长期演进 (LTE) 平均功率(9 dB峰值/平均值比 (PAR))。

该器件采用符合RoHS标准的紧凑型6 mm × 6 mm 40引脚LFCSP封装。

应用

  • 无线基础设施
  • TDD大规模多路输入和多路输出以及有源天线系统
  • 基于TDD的通信系统
  • 产品生命周期 icon-recommended 推荐新设计使用

    本产品已上市。数据手册包含所有最终性能规格和工作条件。ADI公司推荐新设计使用这些产品。

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