CN0144: 利用LO二分频调制器构建宽带低EVM直接变频发射机

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概览

电路笔记PDF, 11/2010 (pdf, 322 kB)
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优势和特点
  • 宽带直接变频发射机
  • 可在69 MHz至2.2 GHz之间工作
此电路中所用产品
设计资源
设计和集成文件
  • 原理图
  • 物料清单
  • 装配图
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设备驱动
Software, such as C code and/or FPGA code, used to communicate with a component's digital interface.
FPGA HDL

电路功能与优势

本电路为宽带直接变频发射机模拟部分的完整实施方案(模拟基带输入、RF输出)。通过使用锁相环(PLL)和宽带集成电压控制振荡器(VCO),本电路支持68.75 MHz至2.2 GHz范围内的RF频率。与使用1分频LO级的调制器(如CN-0134所述)不同,本电路不需要对LO进行谐波滤波。为实现最佳性能,只要求调制器的LO输入采用差分方式驱动。ADF4350 提供差分RF输出,因此非常适合这种调制器。低噪声LDO确保电源管理方案对相位噪声和误差矢量幅度(EVM)无不利影响。这种器件组合可以提供68.75 MHz至2.2 GHz频率范围内业界领先的直接变频发射机性能。对于2.2 GHz以上的频率,建议使用CN-0134所介绍的1分频调制器。

图1. 直接变频发射机(原理示意图:未显示去耦和所有连接)

电路描述

图1所示电路使用完全集成的小数N分频PLL ADF4350和宽带发射调制器 ADL5385 。ADF4350向发射正交调制器ADL5385提供本振(LO频率为调制器RF输出频率的2倍)信号,后者将模拟I/Q信号上变频为RF信号。两个器件共同提供宽带基带I/Q至RF发射解决方案。ADF4350采用超低噪声3.3 V ADP150调节器供电,以实现最佳LO相位噪声性能。ADL5385则采用5 VADP3334 LDO供电。ADP150 LDO的输出电压噪声仅为9 μV均方根值(从10 Hz积分到100 kHz),有助于优化VCO相位噪声并减小VCO推压的影响(等效于电源抑制)。 更多有关CN-0147的内容参见利用ADP150 LDO为ADF4350供电。

ADL5385利用2分频模块产生正交LO信号。因此,正交精度取决于输入LO信号的占空比精度(以及内部分频器触发器的匹配度)。上升和下降时间的任何不平衡都将导致出现偶次谐波,并表现在ADF4350 RF输出上。而采用差分方式驱动调制器LO输入时,可以消除偶次谐波,从而改善整体正交产生情况。(参见“Wideband A/D Converter Front-End Design Considerations: When to Use a Double Transformer Configuration.” Rob Reeder and Ramya Ramachandran. Analog Dialogue, 40-07)

边带抑制性能取决于调制器正交精度,因此以差分方式驱动LO输入可以实现优于单端方式的边带抑制性能。ADF4350提供差分RF输出,而大多数集成VCO的PLL竞争器件则提供单端输出。

ADF4350输出匹配包括 ZBIAS上拉电阻,电源节点的去耦电容也起到一定的作用。为实现宽带匹配,建议使用阻性负载(ZBIAS = 50 Ω) ,或者将一个阻性负载与ZBIAS的电抗性负载并联。后者提供的输出功率稍高,具体取决于所选的电感。对于1 GHz以下的LO工作频率,应使用19 nH或更高的电感值。本电路的测量结果采用ZBIAS = 50 Ω 和+5 dBm的输出功率设置获得。使用50 Ω电阻时,此设置使得各输出在全频带范围内提供大约0 dBm,或者+3 dBm差分。ADL5385 LO输入驱动水平额定值为−10 dBm至+5 dBm,因此可以降低ADF4350输出功率,以节省电流。

图2. 边带抑制,RFOUT从68.75 MHz扫频至2200 MHz

边带抑制扫频与RF输出频率的关系如图2所示。此次扫频的测试条件如下:基带I/Q幅度 = 1.4 V峰峰值差分正弦波,与500 mV直流偏置正交;基带I/Q频率(fBB) = 1 MHz;LO = 2 × RFOUT。测试设置示意图如图3所示。标准ADL5385评估板不允许采用差分LO输入驱动,可用经过修改的ADL5385评估板。

图3. 边带抑制测量测试设置(原理示意图)

与采用低噪声RF信号发生器驱动ADL5385(数据手册测量设置所用的方法)相比,本电路可实现与之相当或更佳的边带抑制性能。使用ADF4350的差分RF输出可消除偶次谐波,并改善调制器正交精度,从而影响边带抑制性能和EVM(误差矢量幅度)。利用图1所示电路进行测量发现,单载波W-CDMA复合EVM优于2%。因此,它为68.75 MHz至2.2 GHz范围内的频率提供了一种低EVM宽带解决方案。对于2.2 GHz以上的频率,应当使用CN-0134所介绍的1分频调制器模块。

此电路中所用产品:

产品 描述 可提供样片的产品型号
ADF4350 集成VCO的宽带频率合成器 ADF4350BCPZ
ADL5385 30 MHz 至2,200 MHz 正交调制器 ADL5385ACPZ-R7
ADP150 超低噪声、150 mA CMOS线性调节器 ADP150ACBZ-2.75R7 ADP150ACBZ-3.0-R7 ADP150AUJZ-1.8-R7 ADP150ACBZ-1.8-R7 ADP150ACBZ-2.85R7 ADP150AUJZ-2.65-R7 ADP150AUJZ-2.8-R7 ADP150AUJZ-3.0-R7 ADP150ACBZ-2.5-R7 ADP150AUJZ-3.3-R7 ADP150ACBZ-2.8-R7 ADP150AUJZ-2.5-R7 ADP150ACBZ-3.3-R7 ADP150ACBZ-2.6-R7
ADP3334 高精度、低IQ、500 MA ANYCAP®可调低压差稳压器 ADP3334ACPZ-REEL7 ADP3334ARMZ-REEL7 ADP3334ARZ
沪ICP备09046653号
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