LT8419

新規設計に推奨

シングル・ピン、スリーステートPWM入力、内蔵スマート・ブートストラップ・スイッチ、調整可能なデッド・タイムを備えた100Vハーフ・ブリッジ窒化ガリウム(GaN)ドライバ

GaN FET用ハーフ・ブリッジ・ゲート・ドライバ

Viewing:
利用上の注意

本データシートの英語以外の言語への翻訳はユーザの便宜のために提供されるものであり、リビジョンが古い場合があります。最新の内容については、必ず最新の英語版をご参照ください。

なお、日本語版のデータシートは基本的に「Rev.0」(リビジョン0)で作成されています。そのため、英語版が後に改訂され、複数製品のデータシートがひとつに統一された場合、同じ「Rev.0」の日本語版のデータシートが異なる製品のデータシートとして表示されることがあります。たとえば、「ADM3307E」の場合、日本語データシートをクリックすると「ADM3311E」が表示されます。これは、英語版のデータシートが複数の製品で共有できるように1本化され、「ADM3307E/ADM3310E/ADM3311E/ADM3312E/ADM3315E」(Rev.J)と改訂されたからで、決して誤ってリンクが張られているわけではありません。和文化されたデータシートを少しでも有効に活用していただくためにこのような方法をとっておりますので、ご了解ください。

アナログ・デバイセズ社は、提供する情報が正確で信頼できるものであることを期していますが、その情報の利用に関して、あるいはその利用によって生じる第三者の特許やその他の権利の侵害に関して一切の責任を負いません。また、アナログ・デバイセズ社の特許または特許の権利の使用を明示的または暗示的に許諾するものでもありません。仕様は予告なしに変更する場合があります。本紙記載の商標および登録商標は、各社の所有に属します。

製品情報

  • GaN FET用ハーフ・ブリッジ・ゲート・ドライバ
  • ドライバ・プルアップ抵抗:0.6Ω
  • ドライバ・プルダウン抵抗:0.2Ω
  • 電流能力:4A(ピーク・ソース)、8A(ピーク・シンク)
  • 内蔵のスマート・ブートストラップ・スイッチでBST-SW電圧の過充電を防止
  • スプリット・ゲート・ドライバでターンオン/ターンオフ強度を調整
  • すべてのドライバ出力がデフォルトでロー状態
  • 単一のスリーステートTTLロジック互換PWM入力
  • プログラム可能なデッド・タイム:約2ns、約6ns、約10.5ns
  • 高速な伝搬遅延:13.5ns(代表値)
  • 均衡化ドライバ電源電圧:VBST ≈ VCC = 3.85V - 5.5V
  • 低電圧/過電圧ロックアウト保護機能
  • 小型12ボールWLCSPパッケージ
LT8419
シングル・ピン、スリーステートPWM入力、内蔵スマート・ブートストラップ・スイッチ、調整可能なデッド・タイムを備えた100Vハーフ・ブリッジ窒化ガリウム(GaN)ドライバ
LT8419 Typical Application LT8419 Pin Configuration LT8419 Chip Illustration
myAnalogに追加

myAnalogの製品セクション(通知受け取り)、既存/新規プロジェクトに製品を追加する。

新規プロジェクトを作成
質問する
サポート

アナログ・デバイセズのサポート・ページはアナログ・デバイセズへのあらゆるご質問にお答えするワンストップ・ポータルです。


ドキュメント

さらに詳しく
myAnalogに追加

myAnalogのリソース・セクション、既存/新規プロジェクトにメディアを追加する。

新規プロジェクトを作成

ソフトウェア・リソース

必要なソフトウェア/ドライバが見つかりませんか?

ドライバ/ソフトウェアをリクエスト

ツールおよびシミュレーション

LTspice


下記製品はLTspiceで使用することが出来ます。:

  • LT8419
LTspice

LTspice®は、無料で提供される強力で高速な回路シミュレータと回路図入力、波形ビューワに改善を加え、アナログ回路のシミュレーションを容易にするためのモデルを搭載しています。

 


評価用キット

eval board
EVAL-LT8419-AZ

シングル・ピン、スリーステートPWM入力、内蔵スマート・ブートストラップ・スイッチ、調整可能なデッド・タイムを備えた100Vハーフ・ブリッジ窒化ガリウム(GaN)ドライバ

製品詳細

EVAL-LT8419-AZ評価用ボードは、2つの100Vエンハンスメント型窒化ガリウム(eGaN)デバイスをハーフ・ブリッジ構成で駆動するLT8419を備えています。この回路は、1MHzのスイッチング周波数で動作する48VHVから24/12VLVへの降圧コンバータとして最適化されていますが、昇圧コンバータなど、ハーフ・ブリッジで構成される他のコンバータ・トポロジとしても使用できます。

ボードを駆動するには、外部PWM信号が必要です。LT8419ドライバには、2つの100V GaNデバイスのゲートを制御する強力な0.2Ωプルダウン・ドライバと0.6Ωプルアップ・ドライバがあります。また、最小ドロップアウト電圧でVCCからバランスの取れたブートストラップ電圧を生成するスマート・ブートストラップ・スイッチも内蔵されています。LT8419はスプリット・ゲート・ドライバを搭載しており、GaNデバイスのターンオンとターンオフのスルー・レートを調整することでリンギングを抑制し、EMI性能を最適化します。

eval board
EVAL-LT8419-BZ

LTC7871(高出力、ポリフェーズ、双方向電源/チャージャ)およびLT8419窒化ガリウム(GaN)ドライバを搭載

製品詳細

EVAL-LT8419-BZは、LTC7871コントローラとLT8419 GaNドライバを搭載した、高出力で高効率の6相双方向コンバータです。各相でLT8419ハーフブリッジ・ドライバを使用してEPC2361 GaN FETを駆動します。ゲート・ドライバはFETの近くに配置され、LTC7871からのPWM信号によって駆動されます。VHIGH端子とVLOW端子は、電力の流れの方向に応じて、入力または出力として機能します。SW1で選択される降圧モードでは、VHIGHの30V~70VをVLOWの安定化された12V出力に変換します。昇圧モードでは、VLOWの10V~14VをVHIGHの安定化された48V出力に変換します。

最大VLOW電流は各方向200Aで、選択したインダクタによって制限されます。最大出力電力は、指定された入力範囲全体にわたり降圧モードで2.4kW、VLOWが12Vのときの昇圧モードで2.4kWです。最大出力で動作する場合は、外部の空気を循環させる必要があります。

各相のインダクタ電流は、1mΩの低検出抵抗により、消費電力の少ない高精度のAC/DC電流検出構造を使用して検出されます。LTC7871の定電流ループは、BUCKピンの状態に応じて、VLOW端子に出入りする電流に対してDC電流を制限します。この電流制限はSETCURピンを使用して設定し、IMONピンで監視できます。

EVAL-LT8419-BZには、SPI互換のシリアルポートが装備されています。DC2026C(Linduino® One)デモ用ボードを接続し、ホスト・コンピュータでQuikEval™ソフトウェアを使用することで、次のことができます。

  • 安定化されたVLOWまたはVHIGHを増減させる。
  • SETCURピンを使用してDC電流制限を増減させる。
  • スペクトル拡散が有効な場合に、スペクトル拡散回路の周波数拡散および変調レートを調整する。
  • LTC7871の動作状態および故障をモニタリングする。

EVAL-LT8419-AZ
シングル・ピン、スリーステートPWM入力、内蔵スマート・ブートストラップ・スイッチ、調整可能なデッド・タイムを備えた100Vハーフ・ブリッジ窒化ガリウム(GaN)ドライバ
EVAL-LT8419-AZ Top Angle Evaluation Board EVAL-LT8419-AZ Top Evaluation Board EVAL-LT8419-AZ Bottom Evaluation Board
EVAL-LT8419-BZ
LTC7871(高出力、ポリフェーズ、双方向電源/チャージャ)およびLT8419窒化ガリウム(GaN)ドライバを搭載
EVAL-LT8419-BZ Top Angle Evaluation Board EVAL-LT8419-BZ Top Evaluation Board EVAL-LT8419-BZ Bottom Evaluation Board

最新のディスカッション

LT8419に関するディスカッションはまだありません。意見を投稿しますか?

EngineerZone®でディスカッションを始める

最近表示した製品