HMC930-DIE

製造中止

0.25 Watt Power Amplifier Chip, DC - 40 GHz

製品モデル: 1
1Ku当たりの価格: 価格は未定

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製品情報

High P1dB Output Power: 22 dBm
High Psat Output Power: 24 dBm
High Gain: 13 dB
High Output IP3: +33.5 dBm
Supply Voltage: +10 V @ 175 mA
50 Ohm matched Input/Output
Die Size: 2.82 x 1.50 x 0.1 mm

The HMC930 is a GaAs MMIC pHEMT Distributed Power Amplifier which operates between DC and 40 GHz. The amplifier provides 13 dB of gain, 33.5 dBm output IP3 and +22 dBm of output power at 1 dB gain compression while requiring 175 mA from a +10 V supply. The HMC930 exhibits a slightly positive gain slope from 8 to 32 GHz, making it ideal for EW, ECM, Radar and test equipment applications. The HMC930 amplifier I/Os are internally matched to 50 Ohms facilitating integration into Mutli-Chip-Modules (MCMs). All data is taken with the chip connected via two 0.025 mm (1 mil) wire bonds of minimal length 0.31 mm (12 mils).

Applications

Test Instrumentation
Microwave Radio & VSAT
Military & Space
Telecom Infrastructure
Fiber Optics

推奨代替製品

製品モデル: 1
1Ku当たりの価格: 価格は未定

ドキュメント

製造中止品のデータシート 1

HMC930: GaAs pHEMT MMC 0.25 Watt Power Amplifier, DC - 40 GHz Obsolete Data Sheet 02/02/2015

アナログ・デバイセズは、最高レベルの品質と信頼性を満たす製品を供給することを常に最重要視しています。これを実現するため、製品、プロセス設計、更には製造プロセスに対しあらゆる観点から品質と信頼性のチェックを行っています。アナログ・デバイセズでは出荷製品に対する「ゼロ・ディフェクト」を常に目指しています。詳細については、アナログ・デバイセズの品質および信頼性プログラム、認証のページを参照してください。

製品モデル	ピン／パッケージ図	資料	CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル
HMC930	CHIPS OR DIE	Material Declaration Reliablity Data パッケージ関連資料	Ultra Librarian SamacSys

製品モデル	製品ライフサイクル	PCN

3 3, 2016 - 16_0010 Discontinuance of Select RF and Microwave Products
		PDN16_0010_Form Material_Report
HMC930		PDN16_0010_Form Material_Report

これは最新改訂バージョンのデータシートです。

ソフトウェア・リソース

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ハードウェア・エコシステム

製品モデル	製品ライフサイクル	詳細
HMC930A-DIE		GaAs pHEMT MMIC 0.25 W パワー・アンプ、DC ～ 40 GHz

ツールおよびシミュレーション

Sパラメータ 1

HMC930 S-Parameters

Keysight Genesys向けのSys-Parameterモデル

Sys-Parameterモデルは、デバイスの直線性と非直線性を明らかにするP1dB、IP3、ゲイン、ノイズ指数、リターン損失などの挙動パラメータを提供します。

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