
Analog Devices RF and microwave components are available as drop-in X-MWblocks®
from Quantic™ X-Microwave.
HMC902LP3E
製造中低ノイズ・アンプ、GaAs、pHEMT、MMIC、5 GHz ~ 11 GHz
- 製品モデル
- 2
- 1Ku当たりの価格
- 価格は未定
製品の詳細
- 低ノイズ指数: 1.8 dB(typ)
- 高ゲイン: 19.5 dB
- 高 P1dB 出力電力: 16 dBm(typ)
- 単電源: 3.5 V/80 mA
- 出力 IP3: 28 dBm
- 50 Ω に整合した入出力
- 自己バイアスですが、静止ドレイン電流(IDQ)低減のためオプションでバイアス制御が可能
- 16 ピン 3 mm x 3 mm SMT パッケージ: 9 mm2
HMC902LP3E は、ガリウムヒ素(GaAs) 仮像電子移動度トランジスタ(pHEMT)、モノリシック・マイクロウエーブ集積回路(MMIC)の 低ノイズ・アンプで、自己バイアスですが、IDQを低減するためにオプションでバイアスを制御することができます。リードレスの 3 mm x 3 mm プラスチック表面実装パッケージに収められています。このアンプは、5 GHz ~ 11 GHz で動作し、19.5 dB の小信号ゲイン 、1.8 dB のノイズ指数 、28 dBm の出力 IP3 を実現しますが、3.5V 電源から 80 mA しか必要としません。
P1dB 出力電力が 16 dBm なので、この LNA はバランスド・ミキサー、I/Q ミキサーやイメージ除去ミキサー用の 局部発信器(LO)用 ドライバとして機能することができます。HMC902LP3E は、DC ブロックされ内部で 50 Ω に整合した I/O も備えているため、大容量のマイクロ波無線や C バンド超小型地球局(VSAT)のアプリケーションに最適です。
アプリケーション
- ポイント to ポイント無線
- ポイント to マルチポイント無線
- 防衛および宇宙
- 試験用計測器
ドキュメント
データシート 1
アプリケーション・ノート 3
品質関連資料 4
製品選択ガイド 1
テープ&リール仕様 1
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
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HMC902LP3E | 16-Lead LFCSP (3mm x 3mm w/ EP) | ||
HMC902LP3ETR | 16-Lead LFCSP (3mm x 3mm w/ EP) |
製品モデル | 製品ライフサイクル | PCN |
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該当なし | ||
3 29, 2023 - 22_0048 Addition of ASE Korea as an Alternate Assembly Site for Select LFCSP Products |
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HMC902LP3E | 製造中 | |
HMC902LP3ETR | 製造中 |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。