製品概要
機能と利点
- 1 dB 圧縮ポイント（P1dB）での出力電力: 21.5 dBm（代表値）
- 飽和出力電力（PSAT）: 22 dBm（代表値）
- ゲイン: 13.5 dB（代表値）
- ノイズ指数: 2 dB
- 出力 3 次インターセプト（IP3）: 26 dBm（代表値）
- 電源電圧: 7 V/68 mA
- 50 Ω に整合した入出力
- ダイ・サイズ: 2.7 mm × 1.363 mm × 0.05 mm
製品概要
HMC8402 は、ガリウム・ヒ素（GaAs）、擬似格子整合型高電子移動度トランジスタ（pHEMT）、モノリシック・マイクロ波集積回路（MMIC）の低ノイズ・アンプで、2 GHz ～ 30 GHz で動作します。このアンプは、ゲインが 13.5 dB、ノイズ指数が 2 dB、出力 IP3 が 26 dBM、1 dB ゲイン圧縮ポイントの出力電力が 21.5 dBm で、7 V 電源から 68 mA を必要とします。HMC8402 は自己バイアス型で、68 mA のドレイン電流 IDQ を得るのに正の単電源しか必要としません。
HMC8402 アンプの入出力は内部で 50 Ω に整合しているため、マルチチップ・モジュール（MCM）に容易に組み込むことができます。すべてのデータは、チップを最短 0.31 mm（12 mil）の 0.025 mm（1 mil）ワイヤ・ボンド 2 本で接続して測定したものです。
アプリケーション
- 試験用計測器
- マイクロ波無線および超小型地球局（VSAT）
- 防衛および宇宙
- 通信インフラストラクチャ
- 光ファイバ
製品カテゴリ
マーケット＆テクノロジー
製品ライフサイクル
新規設計にお薦めします
発売済みの製品です。データシートには、最終的な仕様と動作条件がすべて記載されています。新規の設計には、これらの製品の使用を推奨します。
参考資料
ツールおよびシミュレーション
Sys-Parameters
Sys-Parameter Models for Keysight Genesys
Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.
S-Parameters
ZIP
HMC8402 S-Parameters
6.51 K
設計ツール
ADIsimRF
アナログ・デバイセズのADIsimRF設計ツールは、カスケード・ゲインやノイズ指数、IP3、P1dB、総合消費電力などRFシグナル・チェーン内の最も重要なパラメータの計算を行います。
