HMC8205

新規設計に推奨

パワー・アンプ、GaN、0.3 ～ 6 GHz、35 W

データシート (Rev. C)
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製品情報

HMC8205BF10の機能
  • 高 PSAT: 46 dBm
  • 高パワー・ゲイン: 20 dB 
  • 高 PAE: 38% 
  • 瞬時帯域幅: 0.3 GHz ～ 6 GHz
  • 電源電圧: VDD = 50 V @ 1300 mA
  • 10 ピン LDCC パッケージ
HMC8205BCHIPSの機能
  • 高出力電力：PIN = 24 dBmで45.5dBm（代表値）
  • 高パワー・ゲイン：PIN = 24 dBmで22dB（代表値）
  • 高いPAE： PIN = 28 dBmで40%（代表値）
  • ダイ・サイズ：4.8 mm × 3.4 mm × 0.1 mm

HMC8205BF10 は、0.3 GHz ～ 6 GHz の瞬時帯域幅において 38 % の電力付加効率（PAE）で 45.5 dBm（35 W）を実現する、窒化ガリウム（GaN）広帯域パワー・アンプです。フル・バンド動作の実現に外部マッチングは必要ありません。また、アンプにバイアスをかけるために外部インダクタは必要ありません。さらに、HMC8205BF10 には、RFIN および RFOUT ピン用の DC 阻止コンデンサが内蔵されています。

HMC8205BF10 は、防衛用電波妨害装置、ワイヤレス・インフラストラクチャ、レーダー、汎用アンプなどのパルス波または連続波（CW）アプリケーションに最適です。

HMC8205BF10 アンプは 10 ピン・セラミック・リード・チップ・キャリア（LDCC）を採用しています。

HMC8205BCHIPSは、窒化ガリウム（GaN）の広帯域幅パワー・アンプで、0.4GHz～6GHzの瞬時帯域幅にわたり、40%の電力付加効率（PAE）で45.5dBm（35W）を出力します。動作帯域全体で、外部マッチングは不要です。アンプをバイアスする外部インダクタも不要です。さらに、HMC8205BCHIPSには、RFINピンとRFOUTピン用のDC阻止コンデンサが内蔵されています。

HMC8205BCHIPSは、防衛用電波妨害装置、ワイヤレス・インフラストラクチャ、レーダー、汎用アンプなど、パルス波や連続波（CW）のアプリケーションに最適です。

アプリケーション

  • 防衛用電波妨害装置
  • 民生用および防衛用レーダー
  • ワイヤレス・インフラストラクチャのパワー・アンプ段 
  • 試験装置および計測装置

 
HMC8205

パワー・アンプ、GaN、0.3 ～ 6 GHz、35 W

HMC8205BF10 Functional Block Diagram HMC8205BF10 Circuit Diagram HMC8205BF10 Pin Configuration
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ツールおよびシミュレーション

ADIsimRF

ADIsimRFは使いやすいRFシグナル・チェーン計算ツールです。最大50段までのシグナル・チェーンについて、カスケード・ゲイン、ノイズ、歪み、消費電力を計算し、プロット、エクスポートが可能です。ADIsimRFには、アナログ・デバイセズのRFおよびミックスド・シグナル部品のデバイス・モデルの広範なデータ・ベースも含まれています。

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Sパラメータ 2

Keysight Genesys向けのSys-Parameterモデル

Sys-Parameterモデルは、デバイスの直線性と非直線性を明らかにするP1dB、IP3、ゲイン、ノイズ指数、リターン損失などの挙動パラメータを提供します。

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評価用キット

eval board
schematic 1
schematic 2
schematic 3
EVAL-HMC8205

HMC8205 Evaluation Board

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製品詳細

The EV1HMC8205BF10 evaluation board is a two layer PCB fabricated using 10 mil thick Rogers 4350B copper clad. The PCB is mounted to a copper heat spreader which assists in providing thermal relief to the part as well as mechanical support to the PCB. Mounting holes allow for easy attachment to larger heat sinks for improved thermal management. The RFIN and RFOUT ports are populated by 2.9 mm female coaxial connectors and their respective RF traces have a 50 ohm characteristic impedance. The board is populated with components suitable for use over the entire Operating Temperature range of the part. Please refer to the HMC8205 data sheet for information regarding DC connections, biasing, and typical performance.
EVAL-HMC8205
HMC8205 Evaluation Board
EV1HMC8205BF10ANGLE-web EV1HMC8205BF10BOTTOM-web EV1HMC8205BF10TOP-web

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