製品概要

機能と利点

  • ゲイン: 21 dB(代表値)
  • 1 dB 圧縮ポイント(P1dB)の出力電力: 25 dBm(代表値) 
  • 飽和出力電力(PSAT): 26 dBm(代表値)
  • 出力 3 次インターセプト・ポイント(OIP3): 29 dBm(代表値)
  • 入力リターン損失: 12 dB(代表値) 
  • 出力リターン損失: 8 dB(代表値)
  • DC電源: 4 V/450 mA 
  • 外部マッチング不要 
  • ダイ・サイズ: 3.039 mm x 1.999 mm x 0.05 mm

製品概要

HMC8142 は、統合型 E バンド・ガリウム・ヒ素(GaAs)擬似格子整合型HEMT(pHEMT)モノリシック・マイクロ波集積回路(MMIC)の中出力パワー・アンプで、温度補償されたパワー・ディテクタを内蔵し、動作範囲は 81 GHz ~ 86 GHz です。HMC8142 は、4 V 電源電圧から 20 % の電力付加効率(PAE)で 21 dB のゲイン、1 dB 圧縮ポイントでの 25 dBm の出力電力、29 dBm の出力 3 次インターセプト・ポイント、26 dBm の飽和出力電力を提供します。HMC8142 は直線性が優れており、E バンド通信および大容量のワイヤレス・バックホール無線システム用に最適化されています。アンプの構成と高ゲインにより、このデバイスはアンテナの前の最終段の信号増幅に最適です。全てのデータは、各ポートに幅 3 mil、厚さ 0.05 mil、長さ 7 mil のリボンを使用し、チップを 50 Ω 試験装置に接続して測定したものです。

アプリケーション
  • E バンド通信システム
  • 大容量ワイヤレス・バックホール無線システム
  • 試験および計測

製品ライフサイクル icon-recommended 新規設計にお薦めします

発売済みの製品です。データシートには、最終的な仕様と動作条件がすべて記載されています。新規の設計には、これらの製品の使用を推奨します。

設計リソース

ADI has always placed the highest emphasis on delivering products that meet the maximum levels of quality and reliability. We achieve this by incorporating quality and reliability checks in every scope of product and process design, and in the manufacturing process as well.  "Zero defects" for shipped products is always our goal.

ディスカッション

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サンプル&購入

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価格は1個当たりの米ドルで、米国内における販売価格(FOB)で表示されておりますので、予算のためにのみご使用いただけます。 また、その価格は変更 されることがあります。米国以外のお客様への価格は、輸送費、各国の税金、手数料、為替レートにより決定されます。価格・納期等の詳細情報については、弊社正規販売代理店または担当営業にお問い合わせください。なお、 評価用ボードおよび評価用キットの表示価格は1個構成としての価格です。

 

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