HMC1126-Die
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HMC1126-Die

GaAs, pHEMT, MMIC, Power Amplifier, 2 GHz to 50 GHz

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製品モデル 2
1Ku当たりの価格 最低価格:$121.23
特長
  • Output power for 1 dB compression (P1dB): 17.5 dB typical
  • Saturated output power (PSAT): 21 dBm typical
  • Gain: 11 dB typical
  • Output third-order intercept (IP3): 28 dBm typical
  • Supply voltage: 5 V at 65 mA
  • 50 Ω matched input/output
  • Die size: 2.3 mm × 1.45 mm × 0.05 mm
製品概要
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The HMC1126 is a gallium arsenide (GaAs), pseudomorphic high electron mobility transfer (pHEMT), monolithic microwave integrated circuit (MMIC), distributed power amplifier that operates from 2 GHz to 50 GHz. The HMC1126 provides 11 dB of gain, 28 dBm output IP3, and 17.5 dBm of output power at 1 dB gain compression, while requiring 65 mA from a 5 V supply.

The HMC1126 amplifier inputs/outputs are internally matched to 50 Ω facilitating integration into multichip modules (MCMs). All data is taken with the chip connected via two 0.025 mm (1 mil) wire bonds of minimal length 0.31 mm (12 mils).

APPLICATIONS

  • Test instrumentation
  • Microwave radios and VSATs
  • Military and space
  • Telecommunications infrastructure
  • Fiber optics
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    ドキュメント

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    アナログ・デバイセズは、最高レベルの品質と信頼性を満たす製品を供給することを常に最重要視しています。これを実現するため、製品、プロセス設計、更には製造プロセスに対しあらゆる観点から品質と信頼性のチェックを行っています。アナログ・デバイセズでは出荷製品に対する「ゼロ・ディフェクト」を常に目指しています。詳細については、アナログ・デバイセズの品質および信頼性プログラム、認証のページを参照してください。
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