HMC1022A-Die

新規設計に推奨

GaAs, pHEMT, MMIC, 0.25 W Power Amplifier, DC to 48 GHz

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製品情報

  • P1dB: 25 dBm (typical) at dc to 30 GHz frequency range
  • PSAT: 26 dBm (typical) at dc to 30 GHz frequency range
  • Gain: 11.5 dB (typical)
  • Output IP3: 33 dBm (typical) at dc to 30 GHz frequency range
  • Supply voltage: 10 V at 150 mA
  • 50 Ω matched I/O
  • Die size: 2.89 mm × 1.48 mm × 0.1 mm

The HMC1022ACHIPS is a gallium arsenide (GaAs), pseudomorphic high electron mobility transistor (pHEMT), monolithic microwave integrated circuit (MMIC), distributed power amplifier that operates from dc to 48 GHz. The amplifier provides 11.5 dB of small signal gain, 0.25 W (25 dBm) output power at 1 dB gain compression (P1dB), and a typical output third-order intercept (IP3) of 33 dBm, while requiring 150 mA from a 10 V supply on the VDD pin. Gain flatness is excellent from dc to 48 GHz at ±0.5 dB typical, making the HMC1022ACHIPS ideal for military, space, and test equipment applications. The HMC1022ACHIPS also features inputs/outputs (I/Os) that are internally matched to 50 Ω, facilitating integration into multichip modules (MCMs). All data is taken with the chip connected via 0.075 mm × 0.025 mm (3 mil × 1 mil) ribbon bonds with a minimal length of 0.31 mm (12 mils).

Applications

  • Military and space
  • Test instrumentation
HMC1022A-Die
GaAs, pHEMT, MMIC, 0.25 W Power Amplifier, DC to 48 GHz
HMC1022ACHIPS Functional Block Diagram HMC1022ACHIPS Pin Configuration HMC1022ACHIPS Circuit Diagram
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Sパラメータ 1

Keysight Genesys向けのSys-Parameterモデル

Sys-Parameterモデルは、デバイスの直線性と非直線性を明らかにするP1dB、IP3、ゲイン、ノイズ指数、リターン損失などの挙動パラメータを提供します。

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