1. 製品
  2. アンプ
  3. RFアンプ
  4. 広帯域分布型アンプ
  5. HMC-AUH312-DIE


製品概要

機能と利点

  • 小信号ゲイン: >8 dB
  • 80 GHz 分布型アンプ
  • VDD および VGG1 のバイアス用バイアス・ティーの有無を設定可能
  • 低消費電力
    • 300 mW(VDD = 5 V でバイアス・ティー有り)
    • 360 mW(VDD = 6 V でバイアス・ティー無し)
    • 480 mW(VDD = 8 V でバイアス・ティー無し)
  • ダイ・サイズ: 1.2 mm × 1.0 mm × 0.1 mm

製品概要

HMC-AUH312 は、ガリウム・ヒ素(GaAs)モノリシック・マイクロ波集積回路(MMIC)HEMT 低ノイズ広帯域アンプ・ダイで、500 MHz ~ 80 GHz で動作し、80 GHz(代表値)の 3 dB 帯域幅を提供します。このアンプは 10 dB の小信号ゲインと 2.5 VP-P の最大出力振幅を提供するため、広帯域ワイヤレス、光ファイバ通信、試験装置などのアプリケーションでの使用に最適です。 

アンプ・ダイは 1.2 mm × 1.0 mm であり、マルチチップ・モジュール(MCM)に容易に組み込むことができます。HMC-AUH312 は、バイアス・ティーを接続して、あるいは無しで使用することができ、外部ブロッキング部品、DC 電源ライン用のバイパス・コンデンサを必要とします。ゲート電圧を調整可能なので、ゲインを調整できます。  

アプリケーション
  • 光ファイバ変調器ドライバ
  • 光ファイバ受光器ポストアンプ
  • 試験装置および測定装置用低ノイズ・アンプ
  • ポイント to ポイントおよびポイント to マルチポイント無線
  • 広帯域通信および情報収集システム
  • レーダー警告レシーバ

製品ライフサイクル icon-recommended 新規設計にお薦めします

発売済みの製品です。データシートには、最終的な仕様と動作条件がすべて記載されています。新規の設計には、これらの製品の使用を推奨します。

ツールおよびシミュレーション

Sys-Parameters

Sys-Parameter Models for Keysight Genesys

Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.

S-Parameters

設計ツール

ADIsimRF

アナログ・デバイセズのADIsimRF設計ツールは、カスケード・ゲインやノイズ指数、IP3、P1dB、総合消費電力などRFシグナル・チェーン内の最も重要なパラメータの計算を行います。

設計リソース

アナログ・デバイセズでは、最高レベルの品質と信頼性を備えた製品を提供することに最大の力を常に注いでいます。これを実現するため、製品およびプロセスの設計のあらゆる観点で品質と信頼性のチェックを行っています。そして、それは、製造工程においても同様です。アナログ・デバイセズは常に、出荷製品の「ゼロ・ディフェクト」を目指しています。詳細についてはアナログ・デバイセズの品質および信頼性プログラム/認定証をご覧ください。

製品番号 材料宣誓書(MD) 信頼性データ ピン/パッケージ図 CADシンボル、フットプリント & 3Dモデル
HMC-AUH312 材料宣誓書(MD) 信頼性データ CHIPS OR DIE
HMC-AUH312-SX 材料宣誓書(MD) 信頼性データ CHIPS OR DIE
ウェハ・ファブリケーション・データ

サンプル&購入


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