HMC-ALH376-DIE

低ノイズ・アンプ・チップ、35 GHz ～ 45 GHz

データシート
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製品情報

  • ノイズ指数: 2 dB
  • ゲイン: 40 GHz で 16 dB
  • P1dB 出力電力: +6 dBm
  • 電源電圧: +4 V/87 mA
  • ダイ・サイズ: 2.7 mm x 1.44 mm x 0.1 mm

HMC-ALH376 は 3 段構成の GaAs MMIC HEMT 自己バイアス低ノイズ・アンプ・ダイで、動作範囲は 35 GHz ～ 45 GHz です。このアンプは、16 dB のゲイン、2 dB のノイズ指数、1 dB ゲイン圧縮ポイントでの +6 dBm の出力電力を実現しますが、+4V 単電源から 87 mA しか必要としません。この自己バイアス LNA はサイズが小さい（3.9 mm²）ため、ハイブリッド・アセンブリやマルチチップ・モジュール（MCM）に組み込むのに最適です。

アプリケーション

  • ポイント to ポイント無線
  • ポイント to マルチポイント無線
  • 試験装置およびセンサー
  • 防衛および宇宙
HMC-ALH376-DIE
低ノイズ・アンプ・チップ、35 GHz ～ 45 GHz
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Sパラメータ 1

Keysight Genesys向けのSys-Parameterモデル

Sys-Parameterモデルは、デバイスの直線性と非直線性を明らかにするP1dB、IP3、ゲイン、ノイズ指数、リターン損失などの挙動パラメータを提供します。

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