製品概要
機能と利点
- ノイズ指数：<2.5dB
- ゲイン：11.6dB @ 10GHz
- P1dB出力パワー：+10dBm
- 電源電圧：+2V @ 55mA
- ダイ・サイズ：3.0×1.435×0.1mm
製品概要
HMC-ALH102は、2～20GHzで動作するGaAs MMIC HEMT低ノイズ分布型パワー・アンプ・ダイです。10GHzでのゲインは11.6dB、ノイズ指数は3.5dB未満、1dBゲイン圧縮時の出力電力は+10dBmで、+2V電源で必要な電流はわずか55mAです。小型のHMC-ALH102は、マルチチップ・モジュール（MCM）に組み込むために最適なアンプです。アプリケーション
- 広帯域通信用レシーバ
- 監視システム
- ポイントtoポイント無線
- ポイントtoマルチポイント無線
- 防衛および宇宙
- 試験用計測
製品ライフサイクル
新規設計にお薦めします
発売済みの製品です。データシートには、最終的な仕様と動作条件がすべて記載されています。新規の設計には、これらの製品の使用を推奨します。
参考資料
ツールおよびシミュレーション
Sys-Parameter
Sys-Parameter Models for Keysight Genesys
Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.
S-Parameter
ZIP
HMC-ALH102 S-Parameters
1.72 K
設計ツール
ADIsimRF
アナログ・デバイセズのADIsimRF設計ツールは、カスケード・ゲインやノイズ指数、IP3、P1dB、総合消費電力などRFシグナル・チェーン内の最も重要なパラメータの計算を行います。
設計リソース
アナログ・デバイセズでは、最高レベルの品質と信頼性を備えた製品を提供することに最大の力を常に注いでいます。これを実現するため、製品およびプロセスの設計のあらゆる観点で品質と信頼性のチェックを行っています。そして、それは、製造工程においても同様です。アナログ・デバイセズは常に、出荷製品の「ゼロ・ディフェクト」を目指しています。詳細についてはアナログ・デバイセズの品質および信頼性プログラム/認定証をご覧ください。
| 製品番号 | 材料宣誓書（MD） | 信頼性データ | ピン/パッケージ図 | CADシンボル、フットプリント & 3Dモデル |
|---|---|---|---|---|
| HMC-ALH102 | 材料宣誓書（MD） | 信頼性データ | CHIPS OR DIE | |
| HMC-ALH102-SX | 材料宣誓書（MD） | 信頼性データ | CHIPS OR DIE | |
| ウェハ・ファブリケーション・データ |
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