類似製品
製品概要
機能と利点
- 出力 IP3: +25 dBm
- P1dB: +17 dBm
- ゲイン: 24 dB
- 電源電圧: +5 V
- 50 Ω に整合した入出力
- ダイ・サイズ: 3.2 mm x 1.42 mm x 0.1 mm
製品概要
HMC-ABH241 は 4 段構成の GaAs HEMT MMIC 中出力パワー・アンプで、動作範囲は 50 GHz ～ 66 GHz です。HMC-ABH241 は、+5 V 電源電圧から 24 dB のゲインと 1 dB 圧縮ポイントでの +17 dBm の出力電力を実現します。全てのボンディング・パッドとダイの裏面は、Ti/Au でメタライズされ、アンプ・デバイスは信頼性の高い動作のために完全にパッシベーション処理されています。
HMC-ABH241 GaAs HEMT MMIC 中出力パワー・アンプは、従来のダイ・アタッチ方式に加え、熱圧縮や熱超音波のワイヤ・ボンディングと互換性があるため、MCM やハイブリッド・マイクロ回路のアプリケーションに最適です。ここに示す全てのデータは、50 Ω 環境に置いたチップに RF プローブを接触させて測定したものです。
アプリケーション
- 短距離／大容量リンク
- ワイヤレス LAN ブリッジ
- 防衛および宇宙
製品ライフサイクル
新規設計には非推奨
新規設計にはお勧めしていません。
参考資料
ツールおよびシミュレーション
Sys-Parameters
Sys-Parameter Models for Keysight Genesys
Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.
S-Parameters
ZIP
HMC-ABH241 S-Parameters
24.79 K
設計ツール
ADIsimRF
アナログ・デバイセズのADIsimRF設計ツールは、カスケード・ゲインやノイズ指数、IP3、P1dB、総合消費電力などRFシグナル・チェーン内の最も重要なパラメータの計算を行います。
設計リソース
アナログ・デバイセズでは、最高レベルの品質と信頼性を備えた製品を提供することに最大の力を常に注いでいます。これを実現するため、製品およびプロセスの設計のあらゆる観点で品質と信頼性のチェックを行っています。そして、それは、製造工程においても同様です。アナログ・デバイセズは常に、出荷製品の「ゼロ・ディフェクト」を目指しています。詳細についてはアナログ・デバイセズの品質および信頼性プログラム/認定証をご覧ください。
| 製品番号 | 材料宣誓書（MD） | 信頼性データ | ピン/パッケージ図 | CADシンボル、フットプリント & 3Dモデル |
|---|---|---|---|---|
| HMC-ABH241 | 材料宣誓書（MD） | 信頼性データ | CHIPS OR DIE | |
| HMC-ABH241-SX | 材料宣誓書（MD） | 信頼性データ | CHIPS OR DIE | |
| ウェハ・ファブリケーション・データ |
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