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特長
- 出力 IP3: +25 dBm
- P1dB: +17 dBm
- ゲイン: 24 dB
- 電源電圧: +5 V
- 50 Ω に整合した入出力
- ダイ・サイズ: 3.2 mm x 1.42 mm x 0.1 mm
HMC-ABH241 は 4 段構成の GaAs HEMT MMIC 中出力パワー・アンプで、動作範囲は 50 GHz ~ 66 GHz です。HMC-ABH241 は、+5 V 電源電圧から 24 dB のゲインと 1 dB 圧縮ポイントでの +17 dBm の出力電力を実現します。全てのボンディング・パッドとダイの裏面は、Ti/Au でメタライズされ、アンプ・デバイスは信頼性の高い動作のために完全にパッシベーション処理されています。
HMC-ABH241 GaAs HEMT MMIC 中出力パワー・アンプは、従来のダイ・アタッチ方式に加え、熱圧縮や熱超音波のワイヤ・ボンディングと互換性があるため、MCM やハイブリッド・マイクロ回路のアプリケーションに最適です。ここに示す全てのデータは、50 Ω 環境に置いたチップに RF プローブを接触させて測定したものです。
アプリケーション
- 短距離/大容量リンク
- ワイヤレス LAN ブリッジ
- 防衛および宇宙
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HMC-ABH241-DIE
資料
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1つが該当
技術記事
1
アプリケーション・ノート
4
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本データシートの英語以外の言語への翻訳はユーザの便宜のために提供されるものであり、リビジョンが古い場合があります。最新の内容については、必ず最新の英語版をご参照ください。
なお、日本語版のデータシートは基本的に「Rev.0」(リビジョン0)で作成されています。そのため、英語版が後に改訂され、複数製品のデータシートがひとつに統一された場合、同じ「Rev.0」の日本語版のデータシートが異なる製品のデータシートとして表示されることがあります。たとえば、「ADM3307E」の場合、日本語データシートをクリックすると「ADM3311E」が表示されます。これは、英語版のデータシートが複数の製品で共有できるように1本化され、「ADM3307E/ADM3310E/ADM3311E/ADM3312E/ADM3315E」(Rev.G)と改訂されたからで、決して誤ってリンクが張られているわけではありません。和文化されたデータシートを少しでも有効に活用していただくためにこのような方法をとっておりますので、ご了解ください。
ドキュメント
製品選択ガイド 1
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
---|---|---|---|
HMC-ABH241 | CHIPS OR DIE |
|
|
HMC-ABH241-SX | CHIPS OR DIE |
|
- HMC-ABH241
- ピン/パッケージ図
- CHIPS OR DIE
- 資料
- HTML Material Declaration
- HTML Reliablity Data
- CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル
- Ultra Librarian
- SamacSys
- HMC-ABH241-SX
- ピン/パッケージ図
- CHIPS OR DIE
- 資料
- HTML Material Declaration
- HTML Reliablity Data
- CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル
- Ultra Librarian
- SamacSys
ソフトウェアおよび製品のエコシステム
製品モデル | 製品ライフサイクル | 詳細 |
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新規設計に推奨 |
GaAs, pHEMT, MMIC, 0.25 W Power Amplifier, DC to 48 GHz |