製品概要

機能と利点

  • 内蔵デュアル・チャンネルRFフロント・エンド
    • 2ステージLNAおよび高出力SPDTスイッチ
    • オンチップ・バイアス・マッチング
    • 単電源動作
  • ゲイン
    • 高ゲインモード:2.3GHzで35dB(代表値)
    • 低ゲインモード:2.3GHzで17dB(代表値)
  • 低ノイズ指数
    • 高ゲインモード:2.3GHzで1.4dB(代表値)
    • 低ゲインモード:2.3GHzで1.4dB(代表値)
  • 高アイソレーション
    • RxOutチャンネルAおよびRxOutチャンネルBの間:50dB(代表値)
    • TERMチャンネルAおよびTERMチャンネルBの間:62dB(代表値)
  • 低挿入損失:2.3GHzで0.6dB(代表値)
  • TCASE = 105°Cで高出力に対応
    • 寿命全期間
      • 平均LTE出力(9dB PAR):40dBm
    • シングル・イベント(10秒以内の動作)
      • 平均LTE出力(9dB PAR):43dBm
  • 高OIP3:32dBm(代表値)
  • LNA用パワーダウン・モードおよび低ゲインモード
  • 低電源電流
    • 高ゲインモード:5Vで85mA(代表値)
    • 低ゲインモード:5Vで35mA(代表値)
    • パワーダウン・モード:5Vで12mA(代表値)
  • 正ロジック制御
  • 6mm × 6mmの40ピンLFCSP

製品概要

ADRF5549は、1.8GHz~2.8GHzの時分割複信(TDD)アプリケーション用に設計された、デュアル・チャンネルの内蔵RFフロントエンド・マルチチップ・モジュールです。ADRF5549は、2段カスケード低ノイズ・アンプ(LNA)、高出力シリコン単極、双投(SPDT)スイッチのデュアル・チャンネル構成です。

高ゲインモードでは、2段カスケードLNAおよびスイッチは、低ノイズ指数1.4dB、高ゲイン35dB、3次インターセプト・ポイント(OIP3)32dBm(代表値)となります。

低ゲインモードでは、2段LNAのうち1段はバイパス・モード内にあり、35mA低電流でのゲインは17dBとなります。パワーダウン・モードでは、LNAはオフとなり、デバイスに12mAの電流を引き出します。

送信動作において、RF入力が終端ピンに接続されると(TERMチャンネルAまたはTERMチャンネルB)、スイッチの低挿入損失は0.6dBとなり、ロングターム・エボリューション(LTE)平均電力(ピーク対平均値比(PAR)9dB)は、寿命全期間の平均で40dBm、また、9dB PAR LTEシングル・イベント(10秒未満)平均で43dBmとなります。このデバイスはRoHS準拠のコンパクトな6mm × 6mm、40ピン・リード・フレーム・チップスケール・パッケージ(LFCSP)で提供されます。

アプリケーション

  • ワイヤレス・インフラストラクチャ
  • TDD Massive Multiple-Input Multiple-Output(MIMO)およびアクティブ・アンテナ・システム
  • TDDベースの通信システム

製品ライフサイクル icon-recommended 新規設計にお薦めします

発売済みの製品です。データシートには、最終的な仕様と動作条件がすべて記載されています。新規の設計には、これらの製品の使用を推奨します。

評価キット (1)

ツール

S-Parameters

設計リソース

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ディスカッション

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モデル一覧の項目説明

 

 

 

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