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製品概要

機能と利点

  • 内蔵デュアル・チャンネルRFフロント・エンド
    • 2ステージLNAおよび高出力SPDTスイッチ
    • オンチップ・バイアス・マッチング
    • 単電源動作
  • ゲイン
    • 高ゲインモード:2.3GHzで35dB(代表値)
    • 低ゲインモード:2.3GHzで17dB(代表値)
  • 低ノイズ指数
    • 高ゲインモード:2.3GHzで1.4dB(代表値)
    • 低ゲインモード:2.3GHzで1.4dB(代表値)
  • 高アイソレーション
    • RxOutチャンネルAおよびRxOutチャンネルBの間:50dB(代表値)
    • TERMチャンネルAおよびTERMチャンネルBの間:62dB(代表値)
  • 低挿入損失:2.3GHzで0.6dB(代表値)
  • TCASE = 105°Cで高出力に対応
    • 寿命全期間
      • 平均LTE出力(9dB PAR):40dBm
    • シングル・イベント(10秒以内の動作)
      • 平均LTE出力(9dB PAR):43dBm
  • 高OIP3:32dBm(代表値)
  • LNA用パワーダウン・モードおよび低ゲインモード
  • 低電源電流
    • 高ゲインモード:5Vで85mA(代表値)
    • 低ゲインモード:5Vで35mA(代表値)
    • パワーダウン・モード:5Vで12mA(代表値)
  • 正ロジック制御
  • 6mm × 6mmの40ピンLFCSP

製品概要

ADRF5549は、1.8GHz~2.8GHzの時分割複信(TDD)アプリケーション用に設計された、デュアル・チャンネルの内蔵RFフロントエンド・マルチチップ・モジュールです。ADRF5549は、2段カスケード低ノイズ・アンプ(LNA)、高出力シリコン単極、双投(SPDT)スイッチのデュアル・チャンネル構成です。

高ゲインモードでは、2段カスケードLNAおよびスイッチは、低ノイズ指数1.4dB、高ゲイン35dB、3次インターセプト・ポイント(OIP3)32dBm(代表値)となります。

低ゲインモードでは、2段LNAのうち1段はバイパス・モード内にあり、35mA低電流でのゲインは17dBとなります。パワーダウン・モードでは、LNAはオフとなり、デバイスに12mAの電流を引き出します。

送信動作において、RF入力が終端ピンに接続されると(TERMチャンネルAまたはTERMチャンネルB)、スイッチの低挿入損失は0.6dBとなり、ロングターム・エボリューション(LTE)平均電力(ピーク対平均値比(PAR)9dB)は、寿命全期間の平均で40dBm、また、9dB PAR LTEシングル・イベント(10秒未満)平均で43dBmとなります。このデバイスはRoHS準拠のコンパクトな6mm × 6mm、40ピン・リード・フレーム・チップスケール・パッケージ(LFCSP)で提供されます。

アプリケーション

  • ワイヤレス・インフラストラクチャ
  • TDD Massive Multiple-Input Multiple-Output(MIMO)およびアクティブ・アンテナ・システム
  • TDDベースの通信システム

製品ライフサイクル icon-recommended 新規設計にお薦めします

発売済みの製品です。データシートには、最終的な仕様と動作条件がすべて記載されています。新規の設計には、これらの製品の使用を推奨します。

評価キット (1)

ツール

S-Parameters

設計リソース

アナログ・デバイセズでは、最高レベルの品質と信頼性を備えた製品を提供することに最大の力を常に注いでいます。これを実現するため、製品およびプロセスの設計のあらゆる観点で品質と信頼性のチェックを行っています。そして、それは、製造工程においても同様です。アナログ・デバイセズは常に、出荷製品の「ゼロ・ディフェクト」を目指しています。

サンプル&購入

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モデル一覧の項目説明

 

 

 

評価用ボード

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