ADRF5050
新規設計に推奨無反射型シリコンSP4Tスイッチ、100MHz～20GHz
- 製品モデル
- 4
- 1Ku当たりの価格
- 最低価格：$38.36
製品情報
- 広帯域周波数範囲：100MHz～20GHz
- 50Ωのオンチップ終端を備えた無反射型設計
- 低挿入損失
- 6GHzまで0.9dB（代表値）
- 12GHzまで1.0dB（代表値）
- 20GHzまで1.20dB（代表値）
- 高アイソレーション
- 6GHzまで54dB（代表値）
- 12GHzまで50dB（代表値）
- 20GHzまで47dB（代表値）
- 高直線性
- P0.1dB：34dBm（代表値）
- IP3：55dBm（代表値）
- 大RF電力処理
- スルー・パス：20GHzまで33dBm
- 終端パス：20GHzまで18dBm
- オンとオフのスイッチング時間：55ns
- 0.1dBセトリング・タイム：80ns
- オール・オフ状態コントロール
- ロジック・セレクト制御
- 定格電力処理による単電源動作
- 低周波スプリアスなし、内部電圧生成なし
- 24端子、3 mm × 3 mm、ランド・グリッド・アレイ（LGA）パッケージ
- ADRF5042およびADRF5043とピン互換
ADRF5050はシリコン・オン・インシュレータ（SOI）プロセスで製造された無反射型SP4Tスイッチです。
ADRF5050は、100MHz～20GHzで動作し、挿入損失は1.2dB未満、アイソレーションは47dBを上回ります。このデバイスのRF入力電力処理能力は、スルー・パスで33dBm、終端パスで18dBm、RF共通（RFC）ポートのホット・スイッチングで30dBmです。
ADRF5050は、+3.3Vおよび−3.3Vの両電源電圧で動作します。また、負電源ピン（VSS）をグラウンドに接続し、単電源電圧（VDD）を印加する場合も動作します。この動作状態では、スイッチング特性、直線性、および電力処理性能はディレーティングされますが、小信号性能は維持されます（表2を参照）。
ADRF5050の制御は、相補型金属酸化膜半導体（CMOS）および低電圧トランジスタ-トランジスタ・ロジック（LVTTL）に対応しています。
このデバイスには、イネーブル（EN）制御とロジック・セレクト（LS）制御が備わっています。ENピンをハイにするとオール・オフ状態になり、LSピンをハイにすると投ポート選択ロジックが反転するので、バックツーバック・アプリケーションに容易に使用できます。動作原理のセクションの表7、およびバックツーバック・アプリケーションのセクションを参照してください。
ADRF5050は、ADRF5042およびADRF5043とピン互換です。
ADRF5050は、24端子、3mm × 3mm、RoHS準拠、ランド・グリッド・アレイ（LGA）パッケージで提供され、−40°C～+105°Cで動作可能です。
アプリケーション
ドキュメント
データシート 3
ユーザ・ガイド 1
アプリケーション・ノート 1
高レベル放射線レポート 1
シングルイベント効果の放射線レポート 1
| 製品モデル | ピン／パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
|---|---|---|---|
| ADRF5050BCCZ-CSL | LGA | ||
| ADRF5050BCCZ-CSLR7 | LGA | ||
| ADRF5050BCCZN | 24-Terminal Land Grid Array [LGA] | ||
| ADRF5050BCCZN-R7 | 24-Terminal Land Grid Array [LGA] |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
ソフトウェア・リソース
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ドライバ／ソフトウェアをリクエストツールおよびシミュレーション
Sパラメータ 1
評価用キット
ADRF5050（無反射、シリコンSP4Tスイッチ、100MHz～20GHz）の性能評価