製品概要

機能と利点

  • ゲイン: 24 dB(代表値)
  • 1 dB 圧縮ポイントを実現する出力電力: 28 dBm(代表値)
  • 飽和出力電力: 29 dBm(代表値)
  • 出力 3 次インターセプト: 34 dBm(代表値)
  • 入力リターン・ロス: 18 dB(代表値)
  • 出力リターン・ロス: 10 dB(代表値)
  • DC 電源: 4 V/800 mA
  • 外部マッチング不要
  • ダイ・サイズ: 2.999 mm × 3.999 mm × 0.05 mm

製品概要

ADMV7710 は、統合型 E バンド・ガリウム・ヒ素(GaAs)擬似格子整合型高電子移動度転送(pHEMT)モノリシック・マイクロ波集積回路(MMIC)の中出力パワー・アンプで、温度補償されたパワー・ディテクタを内蔵し、動作範囲は 71 GHz ~ 76 GHz です。ADMV7710 は、4 V 電源電圧から 20 % の電力付加効率で 24 dB のゲイン、1 dB 圧縮ポイントでの 28 dBm の出力電力、29 dBm の飽和出力電力を提供します。ADMV7710 は優れた直線性を示し、E バンド通信および高容量のワイヤレス・バックホール無線システム向けに最適化されています。アンプの構成と高ゲインにより、このデバイスはアンテナの前の最終段の信号増幅に最適です。すべてのデータは、3 mil 幅 × 0.5 mil 厚 × 7 mil 長のリボンを各ポートに使用し、チップを 50 Ω 試験装置に接続して測定したものです。ADMV7710 は 40 パッド・ベア・ダイ(CHIP)を採用し、−55°C ~ +85°C の周囲温度範囲で動作します。

アプリケーション

  • E バンド通信システム
  • 大容量ワイヤレス・バックホール無線システム
  • 試験および計測

製品カテゴリ

製品ライフサイクル icon-recommended 新規設計にお薦めします

発売済みの製品です。データシートには、最終的な仕様と動作条件がすべて記載されています。新規の設計には、これらの製品の使用を推奨します。

ツール

Sys-Parameters

Sys-Parameter Models for Keysight Genesys

Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.

設計ツール

ADIsimRF

アナログ・デバイセズのADIsimRF設計ツールは、カスケード・ゲインやノイズ指数、IP3、P1dB、総合消費電力などRFシグナル・チェーン内の最も重要なパラメータの計算を行います。

設計リソース

ADI has always placed the highest emphasis on delivering products that meet the maximum levels of quality and reliability. We achieve this by incorporating quality and reliability checks in every scope of product and process design, and in the manufacturing process as well.  "Zero defects" for shipped products is always our goal.

サンプル&購入

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価格は1個当たりの米ドルで、米国内における販売価格(FOB)で表示されておりますので、予算のためにのみご使用いただけます。 また、その価格は変更 されることがあります。米国以外のお客様への価格は、輸送費、各国の税金、手数料、為替レートにより決定されます。価格・納期等の詳細情報については、弊社正規販売代理店または担当営業にお問い合わせください。なお、 評価用ボードおよび評価用キットの表示価格は1個構成としての価格です。

 

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