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  5. ADM3056E


製品概要

機能と利点

  • 5.7 kV 実効値 (8000 VPEAK) 信号絶縁型 CAN トランシーバー
  • VDD1のための電源電圧範囲:1.7 V ~ 5.5 V
  • VDD2のための電源電圧範囲:4.5 V ~ 5.5 V
  • ISO 11898-2:2016 準拠(CAN フレキシブル・データ・レート、CAN-FD)
  • 最大データ・レート: 12 Mbps(CAN-FD)
  • 145 ns max の低いループ伝搬遅延
  • ±25 V の拡張コモンモード電圧範囲
  • ±40 V のバス障害保護(CANH、CANL)
  • 低消費電力スタンバイ・サポーティング・リモート・ウェイク要求
  • 制御用の追加絶縁信号(例えば、終端スイッチ)
  • 傾き制御による EMI 削減
  • 安全と規制に関する認定(申請中)
    • VDE適合性認定、VDE 0884-11
      • VIORM = 849 VPEAK
      • VIOSM = 8000 VPEAK(テスト:VPEAK = 12.8 kV)
    • UL:1分間で 5700 V 実効値、UL1577 規格に準拠
    • CSA Component Acceptance 5A(5 kV 実効値)
      • IEC 60950、IEC 61010
  • 16ピン SOIC パッケージの最小沿面距離 / 間隙: 8.3 mm
  • 高いコモンモード過渡耐圧:≥75 kV/µs
  • 工業用温度範囲:−40°C ~ +125°C

製品概要

ADM3056E は、5.7 kV 実効値の絶縁型コントローラ・エリア・ネットワーク(CAN)物理層トランシーバーです。ADM3056E は完全にCAN-FD ISO 11898-2 を満たしています:2016 条件、またさらに12 Mbps程度のデータ・レートをサポート可能です。

このデバイスでは、アナログ・デバイセズの iCoupler® 技術を使用して、非常に頑丈な 3 チャンネル・アイソレータと1つの CAN トランシーバーを 1 つのシングル SOIC、表面実装パッケージにまとめています。ADM3056E は、CAN コントローラと物理層バスとの間にガルバニック絶縁を実現します。

5.7 kV 実効値の分離耐圧、849 VPEAK 動作絶縁電圧、8 kV サージ試験、8.3 mm の沿面およびクリアランスに対する安全と規制に関する認定(申請中)により、ADM3056E は高電圧アプリケーションの絶縁条件を満たすことが保証されます。

絶縁による低伝搬遅延により、長いバス・ケーブルがサポートされます。低いデータ・レートでは標準 CAN 向けに傾き制御モードを利用できます。スタンバイ・モードでは、バスがアイドル状態のときやノードがオフライン状態のときの消費電力を最低限に抑えることができます。サイレント・モードでは、TXD 入力を無視してリッスン専用機能にできます。

優先状態タイムアウト機能は故障時にバスをロックアップから保護し、電流制限およびサーマル・シャットダウン機能は出力短絡から保護します。このデバイスは、−40°C~+125°C の工業用温度範囲にわたって完全に仕様規定されており、16 ピン、増加クリーページ、ワイド・ボディ SOIC パッケージを採用しています。

アプリケーション

  • CANOpen、DeviceNet、その他の CAN バスの実装
  • ソーラー・インバータとバッテリ管理
  • モーターとプロセス制御
  • 工業用オートメーション
  • 輸送およびインフラストラクチャ

製品ライフサイクル icon-recommended 新規設計にお薦めします

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評価キット (1)

ツールおよびシミュレーション

IBIS Models

設計リソース

アナログ・デバイセズでは、最高レベルの品質と信頼性を備えた製品を提供することに最大の力を常に注いでいます。これを実現するため、製品およびプロセスの設計のあらゆる観点で品質と信頼性のチェックを行っています。そして、それは、製造工程においても同様です。アナログ・デバイセズは常に、出荷製品の「ゼロ・ディフェクト」を目指しています。詳細についてはアナログ・デバイセズの品質および信頼性プログラム/認定証をご覧ください。

製品番号 材料宣誓書(MD) 信頼性データ ピン/パッケージ図 CADシンボル、フットプリント & 3Dモデル
ADM3056EBRIZ 成分表 品質および信頼性 16-Lead SOIC (Increased Creepage)
ADM3056EBRIZ-RL 成分表 品質および信頼性 16-Lead SOIC (Increased Creepage)
Wafer Fabrication Data

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