ADL8142
新規設計に推奨GaAs、pHEMT、MMIC、低ノイズ・アンプ、23GHz~31GHz
- 製品モデル
- 2
- 1Ku当たりの価格
- 最低価格:$45.39
Viewing:
製品の詳細
- 低ノイズ指数:27GHz~31GHzで1.6dB(代表値)
- 単一の正電源(自己バイアス)
- 高ゲイン:27GHz~31GHzで27dB(代表値)
- 高OIP3:27GHz~31GHzで29dBm(代表値)
- RoHS準拠、2mm × 2mm、8ピンLFCSPパッケージ
ADL8142は、ガリウム・ヒ素(GaAs)擬似格子整合型高電子移動度トランジスタ(pHEMT)モノリシック・マイクロ波集積回路(MMIC)低ノイズ広帯域アンプで、動作範囲は23GHz~31GHzです。ADL8142は、27GHz~31GHzの範囲で27dBのゲイン、1.6dBのノイズ指数、29dBmの出力3次インターセプト(OIP3)(それぞれ代表値)を提供し、2V電源電圧から必要とする電流はわずか25mAです。OIP3はドレイン電流を大きくすることで改善できます。ADL8142は、ACカップリングされ、内部で50Ωに整合した入出力も備えているため、大容量のマイクロ波無線アプリケーションに最適です。
ADL8142は、RoHS準拠の2mm × 2mm、8ピンLFCSPパッケージに収められています。
アプリケーション
ドキュメント
データシート 2
ユーザ・ガイド 1
製品選択ガイド 1
Analog Dialogue 1
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
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ADL8142ACPZN | 8-lead LFCSP 2 mm × 2 mm × 0.85 | ||
ADL8142ACPZN-R7 | 8-lead LFCSP 2 mm × 2 mm × 0.85 |
製品モデル | 製品ライフサイクル | PCN |
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該当なし | ||
9 28, 2023 - 23_0146 Process Revision for Select Low Noise Amplifier Products |
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ADL8142ACPZN | 製造中 | |
ADL8142ACPZN-R7 | 製造中 | |
9 21, 2022 - 22_0217 Moisture Sensitivity Level Rating Change for ADL8142 |
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ADL8142ACPZN | 製造中 | |
ADL8142ACPZN-R7 | 製造中 |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。