ADL8142-2
新規設計に推奨GaAs、pHEMT、MMIC、低ノイズ・アンプ、23GHz~31GHz
- 製品モデル
- 3
- 1Ku当たりの価格
- 最低価格:$42.83
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製品の詳細
- 低ノイズ指数:27GHz~31GHzで1.8dB(代表値)
- 正側(供給)単電源(自己バイアス)
- 高ゲイン:27GHz~31GHzで26.5dB(代表値)
- 高OIP3:27GHz~31GHzで20dBm(代表値)
- ダイ・サイズ:0.945mm × 1.015mm × 0.100mm
ADL8142-2CHIPは、ガリウム・ヒ素(GaAs)モノリシック・マイクロ波集積回路(MMIC)の擬似格子整合型高電子移動度トランジスタ(pHEMT)低ノイズ広帯域アンプで、動作範囲は23GHz~31GHzです。ADL8142-2CHIPは、27GHz~31GHzの範囲で26.5dBのゲイン、1.8dBのノイズ指数、20dBmの出力3次インターセプト(OIP3)(それぞれ代表値)を備え、2V電源電圧から必要とする電流はわずか25mAです。OIP3はドレイン電流を大きくすることで改善できます。ADL8142-2CHIPは、ACカップリングされ、内部で50Ωに整合した入出力も備えているため、大容量のマイクロ波無線アプリケーションに最適です。
アプリケーション
ドキュメント
データシート 2
高レベル放射線レポート 1
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
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ADL8142-2C-CSL | CHIPS OR DIE | ||
ADL8142-2C-SX | CHIPS OR DIE | ||
ADL8142-2CHIP | CHIPS OR DIE |
製品モデル | 製品ライフサイクル | PCN |
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該当なし | ||
9 28, 2023 - 23_0146 Process Revision for Select Low Noise Amplifier Products |
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ADL8142-2C-CSL | 製造中 | |
ADL8142-2C-SX | 製造中 | |
ADL8142-2CHIP | 製造中 |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
ツールおよびシミュレーション
Sパラメータ 1
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