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特長
- 正側（供給）単電源（自己バイアス）
- ゲイン：12GHz～17GHzで27dB（代表値）
- OP1dB：12GHz～17GHzで18dB（代表値）
- OIP3：12GHz～17GHzで30.5dBm（代表値）
- ノイズ指数：12GHz～17GHzで1.8 dB（代表値）
- RoHS準拠、2mm × 2mm、8ピンLFCSPパッケージ
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ADL8105は、ガリウム・ヒ素（GaAs）、モノリシック・マイクロ波集積回路（MMIC）、擬似格子整合型高電子移動度トランジスタ（pHEMT）、低ノイズ広帯域アンプで、動作範囲は5GHz～20GHzです。
ADL8105は、12GHz～17GHzの範囲で27dB（代表値）のゲイン、12GHz～17GHzの範囲で1.8dB（代表値）のノイズ指数、12GHz～17GHzの範囲で30.5dBm（代表値）の3次インターセプト・ポイント（OIP3）、最大20.5dBmの飽和出力電力（PSAT）を達成するほか、5V電源から要するのはわずか90mAです。OIP3と出力電力（POUT）を犠牲にして消費電力を小さくすることもできます。また、ADL8105の入出力は内部で50Ωに整合されています。RFINピンとRFOUTピンは内部でACカップリングされ、バイアス・インダクタも内蔵されているため、表面実装技術（SMT）ベースで大容量のマイクロ波無線アプリケーションに最適です。
ADL8105は、RoHS準拠の2mm × 2mm、8ピンLFCSPパッケージに収められています。
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よく聞かれる質問（FAQ）
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ADL8105
資料
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ユーザ・ガイド
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データシート
2
ユーザ・ガイド
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本データシートの英語以外の言語への翻訳はユーザの便宜のために提供されるものであり、リビジョンが古い場合があります。最新の内容については、必ず最新の英語版をご参照ください。
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ドキュメント
| 製品モデル | ピン／パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
|---|---|---|---|
| ADL8105ACPZN |
8-lead LFCSP 2 mm × 2 mm × 0.85
|
|
|
| ADL8105ACPZN-R7 |
8-lead LFCSP 2 mm × 2 mm × 0.85
|
|
- ADL8105ACPZN
- ピン／パッケージ図
-
8-lead LFCSP 2 mm × 2 mm × 0.85
- 資料
-
HTML
Material Declaration
-
HTML
Reliablity Data
- CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル
-
Ultra Librarian
-
SamacSys
- ADL8105ACPZN-R7
- ピン／パッケージ図
-
8-lead LFCSP 2 mm × 2 mm × 0.85
- 資料
-
HTML
Material Declaration
-
HTML
Reliablity Data
- CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル
-
Ultra Librarian
-
SamacSys
モデルでフィルタ
製品モデル
製品ライフサイクル
PCN
9 28, 2023
- 23_0146
Process Revision for Select Low Noise Amplifier Products
ADL8105ACPZN
製造中
ADL8105ACPZN-R7
製造中
モデルでフィルタ
製品モデル
製品ライフサイクル
PCN
9 28, 2023
- 23_0146
Process Revision for Select Low Noise Amplifier Products
ADL8105ACPZN
製造中
ADL8105ACPZN-R7
製造中
ソフトウェアおよび製品のエコシステム
評価用キット 1
EVAL-ADL8105
ADL8105（5GHz～20GHz、広帯域、高直線性、低ノイズのアンプ）の性能評価
製品の詳細
ADL8105-EVALZは、厚さ10milのRogers 4350BおよびIsola 370HR、銅被覆を使用した4層のプリント回路基板（PCB）で構成され、公称の厚さは62milです。ADL8105-EVALZのRFINポートとRFOUTポートは、2.9mmメス同軸コネクタで装着されており、それぞれのRFパターンは50Ωの特性インピーダンスを持ちます。ADL8105-EVALZには、ADL8105の動作温度−40°C～+85°Cの全範囲での使用に適したコンポーネントが搭載されています。ボード・パターン損失を補正するため、J1コネクタとJ2コネクタの間にスルー・キャリブレーション・パスが用意されています。スルー・キャリブレーション・パスを使用するには、J1およびJ2にRFコネクタを差し込む必要があります。スルー・キャリブレーション・パスの性能については、ユーザ・ガイドの表1と図3を参照してください。
ADL8105-EVALZのグラウンド・パスとVDDピンには、表面実装技術（SMT）テスト・ポイント・コネクタ、GND、およびVDDを介してアクセスします。VBIASの予備のテスト・ポイントとして、RBIASピンへの簡易アクセスが提供されています（テスト・ポイントの位置についてはユーザ・ガイドの図5を参照）。
ADL8105-EVALZのRFパターンは、50Ωで接地されたコプレーナ導波路です。パッケージのグラウンド・ピンと露出パッドは、グラウンド・プレーンに直接接続します。ヒート・シンクへの適切な電気伝導および熱伝導を確保するため、グラウンド・パドル直下の領域に特に集中させる形で、上面と底面のグラウンド・プレーンを複数のビアで接続しています。
ADL8105-EVALZの電源デカップリング・コンデンサは、デバイスの特性評価に使用される構成を表しています。
ADL8105の詳細については、ADL8105のデータシートを参照してください。ADL8105-EVALZを使用する際は、ユーザ・ガイドと併せてADL8105のデータシートを参照してください。
ツールおよびシミュレーション 1
Sパラメータ 1
Sパラメータ
