製品概要
機能と利点
17.5~28GHz | 28~31.5GHz | |
•ノイズ指数: | 4.0dB | 5.0dB |
•ゲイン: | 11.4dB | 9.5dB |
•OIP3: | 17.2dBm | 19.2dBm |
•単電源:+3V @ 95mA | ||
•50Ωに整合した入出力 | ||
•温度に対するゲイン変動:0.026dB/°C |
製品概要
ADH519Sは、17.5GHz~31.5GHzの周波数範囲をカバーする高ダイナミック・レンジのGaAs PHEMT MMIC低ノイズ・アンプ(LNA)です。ADH519Sは、11.4dBの小信号ゲイン、5.0dBのノイズ指数、19.2dBmの出力IP3を提供します。
アプリケーション
- ポイントtoポイント無線
- ポイントtoマルチポイント無線およびVSAT
- 防衛および宇宙
製品ライフサイクル
新規設計にお薦めします
発売済みの製品です。データシートには、最終的な仕様と動作条件がすべて記載されています。新規の設計には、これらの製品の使用を推奨します。
参考資料
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ADH519S High Dose Rate Radiation Report4/16/2020PDF837 K
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ボンディング・ワイヤとアッテネータを活用し、低ノイズ・アンプのRF性能を引き出す12/1/2020
設計リソース
アナログ・デバイセズでは、最高レベルの品質と信頼性を備えた製品を提供することに最大の力を常に注いでいます。これを実現するため、製品およびプロセスの設計のあらゆる観点で品質と信頼性のチェックを行っています。そして、それは、製造工程においても同様です。アナログ・デバイセズは常に、出荷製品の「ゼロ・ディフェクト」を目指しています。詳細についてはアナログ・デバイセズの品質および信頼性プログラム/認定証をご覧ください。
製品番号 | 材料宣誓書(MD) | 信頼性データ | ピン/パッケージ図 | CADシンボル、フットプリント & 3Dモデル |
---|---|---|---|---|
ADH519LSH6-EMX | 材料宣誓書(MD) | 信頼性データ | CER LDLESS CHIP W/HEATSINK | |
ADH519R701LSH6 | 材料宣誓書(MD) | 信頼性データ | CER LDLESS CHIP W/HEATSINK | |
ウェハ・ファブリケーション・データ |
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