ADGM3121

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3mm × 3mm DPDT MEMSスイッチ、0Hz/DC～24GHz

データシート (Rev. 0) 製品セレクション・テーブル
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製品情報

  • −3dB周波数帯域幅：
    • RF1AとRF1B：24GHz
    • RF2AとRF2B：22GHz
  • 高ビット・レート機能：最大64Gbps
  • RF性能特性
    • チャンネルRF1AとチャンネルRF1B：
      • 挿入損失：6GHzで0.5dB（代表値）
      • 反射損失：6GHzで24dB（代表値）
      • アイソレーション：6GHzで24dB（代表値）
    • チャンネルRF2AとチャンネルRF2B：
      • 挿入損失：6GHzで0.4dB（代表値）
      • 反射損失：6GHzで29dB（代表値）
      • アイソレーション：6GHzで26dB（代表値）
  • 高入力IIP3：70dBm（代表値）
  • 大RF電力処理：33dBm（最大値）
  • オン抵抗：1.9Ω（代表値）
  • 大DC電流処理：200mA
  • 高スイッチ・サイクル数：1億サイクル（+85°Cでの最小値）
  • 高速スイッチング時間：200μs TON（最大値）
  • 3.3Vドライバ内蔵により、パラレル・インターフェースやSPIを使用して簡単に制御可能
  • シャント抵抗内蔵による小型化
  • 3mm × 3mm × 1.5mm、小型24端子ランド・グリッド・アレイ・パッケージ
  • 温度範囲：-40°C～+85°C

ADGM3121は、アナログ・デバイセズのマイクロマシン（MEMS）スイッチ技術を使用して製造された、広帯域の双極双投（DPDT）スイッチです。この技術により、小さいフォーム・ファクタ、広いRF帯域幅、高い直線性、小さい挿入損失を備え、最小0Hz/DCで動作するスイッチが実現します。このスイッチは、広いRF範囲と高精度の装置切替えが求められる場合に理想的なソリューションとなります。

内蔵ドライバ・チップにより、スイッチを静電的に作動させるための高電圧が生成されます。これは、パラレル・インターフェースまたはシリアル・ペリフェラル・インターフェース（SPI）により制御できます。すべてのスイッチは独立して制御できます。

このデバイスは、3mm × 3mm × 1.5mmの24端子ランド・グリッド・アレイ・パッケージを採用しています。ADGM3121の最適な動作条件を確保するため、「重要な動作条件」のセクションを参照してください。

ADGM3121のオン抵抗（RON）性能は、デバイスごとのばらつき、チャンネルごとのばらつき、サイクル作動、ターン・オン後のセトリング時間、バイアス電圧、温度変化などの影響を受けます。

アプリケーション

  • ATEの負荷およびプローブ・ボード
  • 高速ループバック試験時のDC
  • 対応デジタル規格：高速シリアライゼーション／デシリアライゼーション、PCIe Gen4/Gen5/Gen6、USB 4、PAM 4
  • リレーの代替
  • 構成変更可能なフィルタ／減衰器
  • 防衛用無線とマイクロ波無線
  • セルラ・インフラストラクチャ：5Gミリ波
ADGM3121
3mm × 3mm DPDT MEMSスイッチ、0Hz/DC～24GHz
ADGM3121 Functional Block Diagram ADGM3121 Pin Configuration ADGM3121 Chip Illustration
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ツールおよびシミュレーション

IBISモデル 1

Sパラメータ 2

評価用キット

eval board
schematic 1
schematic 2
schematic 3
EVAL-ADGM3121

ADGM3121（3mm × 3mm DPDT MEMSスイッチ、0Hz/DC～24GHz）の性能評価

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機能と利点

  • 単電源電圧：3.3V
  • 広い周波数範囲：DC～24GHz
  • RF信号用2.92mmコネクタ
  • パラレル・インターフェースとSPI
  • アナライザ・キャリブレーション用として、伝送ラインによるキャリブレーションを内蔵

製品詳細

このユーザ・ガイドでは、 ADGM3121用のEVAL-ADGM3121SDZについて説明します。このデバイスはデュアルチップRFスイッチング・ソリューションであり、双極双投（DPDT）マイクロマシン（MEMS）スイッチと制御チップが共にコンパクトな3.00mm × 3.00mm × 1.50mmのLGAパッケージに収められています。

DPDTスイッチはアナログ・デバイセズのMEMSスイッチ技術を採用しており、帯域幅、電力処理能力、直線性の観点でRFアプリケーションに最適な性能を備えています。制御チップは、MEMSスイッチに必要な高電圧信号を生成します。ユーザは、シンプルで柔軟な相補型金属酸化膜半導体（CMOS）／低電圧トランジスタ-トランジスタ・ロジック（LVTTL）準拠の並列インターフェース、およびシリアル・ペリフェラル・インターフェース（SPI）を介してその動作を制御できます。複数のADGM3121デバイスをデイジーチェーン接続して、最小限のデジタル回線で複数のデバイスを構成することもできます。

SPIの場合、EVAL-ADGM3121SDZは、システム・デモンストレーション・プラットフォーム（SDP）ボードを介してPCのUSBポートに接続します。EVAL-SDP-CB1Zボード（SDP-Bコントローラ・ボード）は、アナログ・デバイセズのウェブサイトでご注文いただけます。

ADGM3121には、RF信号と制御信号用のコネクタ、およびスイッチの動作を制御してその性能を評価するためのリンクが付属しています。

ADGM3121の詳細については、ADGM3121のデータシートを参照してください。EVAL-ADGM3121SDZを使用する際は、このユーザ・ガイドと併せてADGM3121のデータシートも参照してください。
EVAL-ADGM3121
ADGM3121（3mm × 3mm DPDT MEMSスイッチ、0Hz/DC～24GHz）の性能評価
EVAL-ADGM3121 Evaluation Board Photo Angle View EVAL-ADGM3121 Evaluation Board Photo Top View EVAL-ADGM3121 Evaluation Board Photo Bottom View

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