ADL8130
ADL8130
新規設計に推奨GaAs, pHEMT, MMIC, 0.01GHz to 8GHz, Low Noise Amplifier
- 製品モデル
- 2
- 1Ku当たりの価格
- 最低価格:$45.45
Viewing:
製品情報
- High gain: 25.5dB typical from 0.01GHz to 2GHz
- Low noise figure: <0.6dB typical from 0.5GHz to 2GHz
- Power-down voltage pin (VPD) for enabling and disabling the amplifier
- Single-supply bias
- Extended operating temperature range: −55°C to +125°C
- RoHS-compliant, 2mm × 2mm, 8-lead LFCSP
The ADL8130 is a gallium arsenide (GaAs), pseudomorphic high electron mobility transistor (pHEMT), monolithic microwave integrated circuit (MMIC), wideband low noise amplifier (LNA) that operates from 0.01GHz to 8GHz. The ADL8130 provides a typical gain of 25.5dB from 0.01GHz to 2GHz, a 0.6dB typical noise figure from 0.5GHz to 2GHz, and a typical output third-order intercept (OIP3) of 37dBm from 0.01GHz to 2GHz, requiring only a 90mA supply current (IDQ) from a 5V supply voltage (VDD). Power dissipation can be lowered at the expense of the OIP3 and output power (POUT). The internally matched, DC-coupled RF input (RFIN) and output (RFOUT) pins require external AC coupling capacitors along with a bias inductor on RFOUT. In addition, the RF input is biased through an external inductor connected between the VBIAS pin and RFIN pin.
The ADL8130 is housed in a RoHS-compliant, 2mm × 2mm, 8-lead LFCSP.
ドキュメント
データシート 1
ユーザ・ガイド 1
| 製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
|---|---|---|---|
| ADL8130ACPZN | 8-lead LFCSP 2 mm × 2 mm × 0.85 | ||
| ADL8130ACPZN-R7 | 8-lead LFCSP 2 mm × 2 mm × 0.85 |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
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