ADL8102
新規設計に推奨GaAs、pHEMT、MMIC、低ノイズ・アンプ、1GHz~22GHz
- 製品モデル
 - 2
 - 1Ku当たりの価格
 - 最低価格:$95.67
 
製品情報
- 正側(供給)単電源(自己バイアス)
 - ゲイン:9GHz~19GHzで27dB(代表値)
 - OP1dB:1GHz~9GHzで13.5dB(代表値)
 
- OIP3:1GHz~9GHzで25dBm(代表値)
 - ノイズ指数:9GHz~19GHzで2.5dB(代表値)
 - RoHS準拠、3mm × 3mm、16ピン、LFCSPパッケージ
 
ADL8102は、ガリウム・ヒ素(GaAs)、モノリシック・マイクロ波集積回路(MMIC)、擬似格子整合型高電子移動度トランジスタ(pHEMT)、低ノイズ広帯域アンプで、動作範囲は1GHz~22GHzです。
ADL8102は、9GHz~19GHzの範囲で27dB(代表値)のゲイン、9GHz~19GHzの範囲で2.5dB(代表値)のノイズ指数、1GHz~9GHzの範囲で25dBm(代表値)の出力3次インターセプト・ポイント(OIP3)、最大15.5dBmの飽和出力電力(PSAT)を達成するほか、5V電源から要するのはわずか110mAです。また、ADL8102の入出力は内部で50Ωに整合されています。RFINおよびRFOUTピンは内部でACカップリングされ、バイアス・インダクタも内蔵されているため、表面実装技術(SMT)ベースの大容量マイクロ波無線アプリケーションに最適です。
ADL8102は、RoHS準拠の3mm × 3mm、16ピンLFCSPパッケージに収められています。
アプリケーション
ドキュメント
データシート 2
ユーザ・ガイド 1
アプリケーション・ノート 3
ビデオ 1
| 製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル | 
|---|---|---|---|
| ADL8102ACPZN | 16-Lead LFCSP (3mm x 3mm w/ EP) | ||
| ADL8102ACPZN-R7 | 16-Lead LFCSP (3mm x 3mm w/ EP) | 
| 製品モデル | 製品ライフサイクル | PCN | 
|---|---|---|
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                                                            9 28, 2023 - 23_0146 Process Revision for Select Low Noise Amplifier Products  | 
                                                    ||
| ADL8102ACPZN | 製造中 | |
| ADL8102ACPZN-R7 | 製造中 | |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
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