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SW06是一款四通道单刀单掷模拟开关,同时采用双极性和离子植入FET器件。SW06 FET开关采用双极性数字逻辑输入,其抗静电能力强于CMOS器件。SW06采用特殊设计和建造技术,具有超强的坚固性和可靠性。

该器件不但拥有更高的可靠性,而且在电气规格方面亦有上佳表现。通过在高温条件下降低“导通”电阻和控制漏电流,可以减少潜在误差源。开关FET在20 V模拟信号范围内以及电源电压变化的情况下,RON变化极小。可以采用单正电源电压供电。当V+ = 36 V且V- = 0 V时,模拟信号范围将从地扩展至+32 V。

PNP逻辑输入兼容TTL和CMOS,因此利用SW06可以方便升级现有设计。逻辑"0"和逻辑"1"输入电流处于微安级,有利于减少CMOS和TTL逻辑上的负载。

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