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特性
- 宽带宽: 5 GHz至26.5 GHz或30 GHz
- 出色的线性度: +28 dBm输入P1dB
- 宽衰减范围: 28 dB,30 dB
- 吸收式拓扑结构
- 单或双控制操作
- 紧凑型裸片尺寸: 1.4 × 1.2 × 0.1 mm
- 16引脚、3 × 3 mm、表面贴装技术(SMT)封装
HMC712器件为吸收式可变电压衰减器(VVA),工作频率范围为5 GHz至26.5 GHz或30 GHz,非常适合必须利用模拟直流控制信号来控制28 dB或30 dB幅度范围内RF信号电平的设计。 它们集成了由两个模拟电压VCTRL1和VCTRL2控制的分流型衰减器。 该衰减器通过第一衰减级VCTRL在−3 V至0 V电压范围内的变化实现较佳线性度性能,VCTRL2固定在−3 V。第二衰减级的控制电压VCTRL2应在−3 V至0 V电压范围内变化,VCTRL1固定在0 V。然而,如果VCTRL1和VCTRL2引脚连接在一起,仅需稍微降低输入IP3性能便可实现全模拟衰减范围。 具体应用包括微波、点对点和VSAT无线电中的AGC电路和多增益级温度补偿。 可变电压衰减器采用符合RoHS标准的、3 × 3 mm、QFN、无引脚封装。
应用
- 点对点无线电
- VSAT无线电
- 测试仪器仪表
- 微波传感器
- 军用、ECM和雷达
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参考资料
质量文档 3
磁带和卷轴规格 1
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。
产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号,脚注和 3D模型 |
---|---|---|---|
HMC712 | CHIPS OR DIE |
|
|
HMC712LP3CE | 16-Lead QFN (3mm x 3mm w/ EP) |
|
|
HMC712LP3CETR | 16-Lead QFN (3mm x 3mm w/ EP) |
|
- HMC712
- 引脚/封装图-中文版
- CHIPS OR DIE
- 文档
- HTML Material Declaration
- HTML Reliablity Data
- CAD 符号,脚注和 3D模型
- Ultra Librarian
- SamacSys
- HMC712LP3CE
- 引脚/封装图-中文版
- 16-Lead QFN (3mm x 3mm w/ EP)
- 文档
- HTML Material Declaration
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- CAD 符号,脚注和 3D模型
- Ultra Librarian
- SamacSys
- HMC712LP3CETR
- 引脚/封装图-中文版
- 16-Lead QFN (3mm x 3mm w/ EP)
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- HTML Reliablity Data
- CAD 符号,脚注和 3D模型
- Ultra Librarian
- SamacSys
根据型号筛选
产品型号
产品生命周期
PCN
12月 14, 2015
- 15_0026
Discontinuance of Select Hittite Microwave Products (HMC) from Analog Devices
HMC712
最后购买期限
1月 11, 2017
- 16_0010
Discontinuance of Select RF and Microwave Products
HMC712LP3CE
过期
HMC712LP3CETR
过期
根据型号筛选
产品型号
产品生命周期
PCN
12月 14, 2015
- 15_0026
Discontinuance of Select Hittite Microwave Products (HMC) from Analog Devices
1月 11, 2017
- 16_0010
Discontinuance of Select RF and Microwave Products
软件和型号相关生态系统
部分模型 | 产品周期 | 描述 |
---|---|---|
推荐新设计使用 |
GaAs MMIC电压可变衰减器,5 - 26.5 GHz |
|
推荐新设计使用 |
GaAs MMIC可变电压衰减器,5 - 30 GHz |