HMC-APH518
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HMC-APH518

1 W功率放大器，21 - 24 GHz

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特性
  • 输出IP3： +39 dBm
  • P1dB： +30.5 dBm
  • 增益： 17 dB
  • 电源电压： +5V
  • 50 Ω匹配输入/输出
  • 裸片尺寸：
    4.49 x 1.31 x 0.1 mm
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HMC-APH518是一款两级GaAs HEMT MMIC 1 W功率放大器，工作频率范围为21至24 GHz。 HMC-APH518提供17 dB增益，采用+5V电源电压时具有+30.5 dBm输出功率（1 dB压缩）。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化，放大器已完全钝化以实现可靠操作。

HMC-APH518 GaAs HEMT MMIC 1 W功率放大器兼容传统的芯片贴装方式，以及热压缩和热超声线焊工艺，非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ω环境下使用RF探头接触测得。

应用

  • 点对点无线电
  • 点对多点无线电
  • VSAT
  • 军事和太空

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HMC-APH518

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更新 04/22/2015
英文

HMC-APH518 Data Sheet

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技术文章

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更新 05/05/2015
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38, 60 & 82 GHz MMICs for High Capacity Communication Links redirect icon

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应用笔记

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更新 11/11/2015
英文
Thermal Management for Surface Mount Components General Application Note redirect icon

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更新 05/13/2020
英文
AN-1363: Meeting Biasing Requirements of Externally Biased RF/Microwave Amplifiers with Active Bias Controllers redirect icon

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更新 05/13/2020
中文
利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 redirect icon

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更新 08/01/2019
英文
AN-1604: Thermal Management Calculations for RF Amplifiers in LFCSP and Flange Packages redirect icon

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HTML

更新 08/01/2019
中文
AN-1604: Thermal Management Calculations for RF Amplifiers in LFCSP and Flange Packages redirect icon

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HTML

更新 08/01/2019
日文
AN-1604: LFCSP パッケージおよびフランジ・パッケージに収容された RF アンプの温度管理計算 redirect icon

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