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特性
- 最大额定电源电压：44 V
- 模拟信号范围：± 15 V
- 低导通电阻：< 24 Ω
- 超低功耗：< 3.9 µW
- 先开后合式开关动作
- TTL/CMOS兼容型输入
- 低泄漏：<0.25 nA
- 快速开关时间
-接通时间ton <165 ns
-断开时间 toff <130 ns - DG411/DG412/DG413的直接替代产品
- 16引脚DIP和SOIC封装
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ADG431是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。它采用增强型LC2MOS 工艺设计，具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。
ADG431开关的接通条件是相关的控制输入为逻辑低电平。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。所有开关均为先开后合式，适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性，当切换数字输入时，可实现最小的瞬变。
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ADG431
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参考资料
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。
| 产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号，脚注和 3D模型 |
|---|---|---|---|
| ADG431BNZ |
16-Lead PDIP
|
|
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| ADG431BRZ |
16-Lead SOIC
|
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| ADG431BRZ-REEL |
16-Lead SOIC
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| ADG431BRZ-REEL7 |
16-Lead SOIC
|
|
- ADG431BNZ
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16-Lead PDIP
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- ADG431BRZ
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16-Lead SOIC
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-
SamacSys
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产品生命周期
PCN
3月 29, 2021
- 21_0033
Assembly Site Transfer for 14/16L 300_MIL PDIP to Cirtek
2月 8, 2010
- 04_0080
Qualification of the 8" C6 and Q Wafer Fab Processes at Analog Devices, Limerick, Ireland.
ADG431BNZ
ADG431BRZ
ADG431BRZ-REEL
ADG431BRZ-REEL7
8月 19, 2009
- 07_0024
Package Material Changes for SOT23, MiniSO, MQFP, PDIP, PLCC, SOIC (narrow and wide body), SSOP, TSSOP and TSSOP exposed pad
10月 5, 2010
- 10_0146
Halogen Free Material Change for 14/16L SOIC_N Products
ADG431BRZ
ADG431BRZ-REEL
ADG431BRZ-REEL7
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ADG431BNZ
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- 07_0024
Package Material Changes for SOT23, MiniSO, MQFP, PDIP, PLCC, SOIC (narrow and wide body), SSOP, TSSOP and TSSOP exposed pad
10月 5, 2010
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ADG431BRZ
ADG431BRZ-REEL
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工具及仿真模型 1
SPICE 模型 1
SPICE 模型
