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ADG1223:  低电容、低电荷注入、±15 V/+12 V iCMOS®双通道单刀单掷开关

产品详情

ADG1221/ADG1222/ADG1223均为单芯片互补金属氧化物半导体(CMOS)器件,内置四个采用iCMOS(工业CMOS)工艺设计的独立可选开关。iCMOS是一种模块式制造工艺,集高电压CMOS与双极性技术于一体。利用这种工艺,可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC,并实现以往的高压器件所无法实现的尺寸。与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同,iCMOS器件不但可以承受高电源电压,同时还能提升性能、大幅降低功耗并减小封装尺寸。

这些开关具有超低电容和极低的电荷注入特性,因而是要求低突波和快速建立时间的数据采集与采样保持应用的理想解决方案。图2显示,在器件的整个信号范围内电荷注入极小。

ADG1221/ADG1222/ADG1223均内置两个独立的单刀单掷(SPST)开关。ADG1221与ADG1222的唯一不同是数字控制逻辑相反。ADG1221开关的接通条件是相关控制输入为逻辑1,而ADG1222则要求逻辑0。ADG1223有一个开关的数字控制逻辑与ADG1221相似,但另一个开关的控制逻辑则相反。ADG1223为先开后合式开关,适合多路复用器应用。当接通时,各开关在两个方向的导电性能相同,输入信号范围可扩展至电源电压范围。在断开条件下,等于电源电压的信号电平被阻止。

应用

  • 自动测试设备
  • 数据采集系统
  • 电池供电系统
  • 采样保持系统
  • 音频信号路由
  • 视频信号路由
  • 通信系统
  • 特点和优势

    • 电荷注入:小于0.5 pC(整个信号范围内)
    • 关断电容:2 pF
    • 关断泄漏:20 pA
    • 电源电压范围:33 V
    • 导通电阻:120 Ω
    • 额定电源电压:±15 V、+12 V
    • 无需 VL 电源
    • 3 V逻辑兼容输入
    • 轨到轨工作
    • 10引脚MSOP封装

    ADG1223功能框图

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    ADG1223 型号选项
    产品型号 封装 引脚 温度范围 包装和数量 报价*(100-499) 报价*1000 pcs RoHS 查看PCN/PDN 查看库存/
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    ADG1223BRMZ 产品状态: 量产 10 ld MSOP 10 工业 Tube, 50 $ 1.55 $ 1.27 Y  材料信息 查看PCN 订购
    ADG1223BRMZ-REEL7 产品状态: 量产 10 ld MSOP 10 工业 Reel, 1000 - $ 1.27 Y  材料信息 查看PCN 订购
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    这里所列出的美国报价单仅供预算参考,指美元报价(规定订量的每片美元,美国离岸价),如有修改不再另行通知。由于地区关税、商业税、汇率及手续费原因,国际报价可能不同。对于特殊批量报价,请与您当地的ADI公司办事处或代理商联络。对于评估板和套件的报价是指一个单位价格。

    沪ICP备09046653号
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