製品概要
機能と利点
- High P1dB Output Power: +28 dBm
- High Gain: 14 dB
- High Output IP3: +41 dBm
- Single Supply: +10V @ 350 mA
- 50 Ohm Matched Input/Output
- Die Size: 2.92 x 1.35 x 0.1 mm
製品概要
The HMC907A is a GaAs MMIC pHEMT Distributed Power Amplifier die which operates between 0.2 and 22 GHz. This self-biased power amplifier provides 14 dB of gain, 41 dBm output IP3 and +28 dBm of output power at 1 dB gain compression while requiring only 350mA from a +10V supply. Gain flatness is excellent at ±0.7 dB from DC to 12 GHz making the HMC907A ideal for EW, ECM, Radar and test equipment applications. The HMC907A amplifier I/Os are internally matched to 50 Ohms facilitating integration into Mutli-Chip-Modules (MCMs). All data is taken with the chip connected via two 0.025mm (1 mil) wire bonds of minimal 0.31 mm (12 mils) length.
Applications
- Test Instrumentation
- Military & Space
製品ライフサイクル
製造中
この製品ファミリーの1つ以上の型番が生産／供給中です。新規の設計に適していますが、より新しい代替製品を提供している場合があります。
参考資料
ツールおよびシミュレーション
Sys-Parameters
Sys-Parameter Models for Keysight Genesys
Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.
S-Parameters
ZIP
HMC907A-Die S-Parameters
13.43 K
設計ツール
ADIsimRF
アナログ・デバイセズのADIsimRF設計ツールは、カスケード・ゲインやノイズ指数、IP3、P1dB、総合消費電力などRFシグナル・チェーン内の最も重要なパラメータの計算を行います。
設計リソース
アナログ・デバイセズでは、最高レベルの品質と信頼性を備えた製品を提供することに最大の力を常に注いでいます。これを実現するため、製品およびプロセスの設計のあらゆる観点で品質と信頼性のチェックを行っています。そして、それは、製造工程においても同様です。アナログ・デバイセズは常に、出荷製品の「ゼロ・ディフェクト」を目指しています。詳細についてはアナログ・デバイセズの品質および信頼性プログラム/認定証をご覧ください。
| 製品番号 | 材料宣誓書（MD） | 信頼性データ | ピン/パッケージ図 | CADシンボル、フットプリント & 3Dモデル |
|---|---|---|---|---|
| HMC907A | 材料宣誓書（MD） | 信頼性データ | CHIPS OR DIE | |
| HMC907A-SX | 材料宣誓書（MD） | 信頼性データ | CHIPS OR DIE | |
| ウェハ・ファブリケーション・データ |
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