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特長
- P1dB output power: +26 dBm, +27 dBm
- Gain: 12 dB, 14 dB
- Output IP3: +36 dBm, +38 dBm
- Supply voltage: +10 V at 350 mA
- 50 Ω matched input/output
- Die size: 2.91 × 1.33 × 0.1 mm
- 32-lead, 5 × 5 mm, surface-mount technology (SMT) package
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The HMC907 devices are GaAs, monolithic microwave integrated circuit (MMIC), PHEMT distributed power amplifiers which operate between 0.2 GHz and 22 GHz. These self-biased power amplifiers provide 12 dB and 14 dB of gain, +36 dBm or +38 dBm of output IP3, and +26 dBm or +27 dBm of output power at 1 dB gain compression, while requiring only 350 mA from a +10 V supply. Gain flatness is excellent at +0.6 dB or +0.7 dB from 0.2 GHz to 22 GHz, making these devices ideal for EW, ECM, radar, and test equipment applications. The inputs/outputs of these devices are internally matched to 50 Ω for ease of integration into multichip modules (MCMs). The half-watt power amplifier SMT is packaged in a leadless, QFN, 5 × 5 mm, surface-mount package and requires no external matching components. All data is taken with the chip connected via two 0.025 mm (1 mil) wire bonds of minimal 0.31 mm (12 mils) length.
Applications
- Test instrumentation
- Microwave radio and VSAT
- Military and space
- Telecom infrastructure
- Fiber optics
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よく聞かれる質問（FAQ）
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利用上の注意
アナログ・デバイセズ社は、提供する情報が正確で信頼できるものであることを期していますが、その情報の利用に関して、あるいはその利用によって生じる第三者の特許やその他の権利の侵害に関して一切の責任を負いません。また、アナログ･デバイセズ社の特許または特許の権利の使用を明示的または暗示的に許諾するものでもありません。仕様は予告なしに変更する場合があります。本紙記載の商標および登録商標は、各社の所有に属します。
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ドキュメント
品質関連資料 3
テープ＆リール仕様 1
ソフトウェアおよび製品のエコシステム
| 製品モデル | 製品ライフサイクル | 詳細 |
|---|---|---|
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|
GaAs pHEMT MMIC パワー・アンプ、0.2 GHz ～ 22 GHz |
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|
GaAs pHEMT MMIC Power Amplifier, 0.2 - 22 GHz |
評価用キット 1
EVAL-HMC907LP5E
HMC907LP5E Evaluation Board
ツールおよびシミュレーション 1
Sパラメータ 2
Sパラメータ
