HMC907

製造中止

HMC907 / HMC907LP5E

Half-Watt Power Amplifier Chip or SMT, 0.2 GHz to 22 GHz

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製品情報

  • P1dB output power: +26 dBm, +27 dBm
  • Gain: 12 dB, 14 dB
  • Output IP3: +36 dBm, +38 dBm
  • Supply voltage: +10 V at 350 mA
  • 50 Ω matched input/output
  • Die size: 2.91 × 1.33 × 0.1 mm
  • 32-lead, 5 × 5 mm, surface-mount technology (SMT) package

The HMC907 devices are GaAs, monolithic microwave integrated circuit (MMIC), PHEMT distributed power amplifiers which operate between 0.2 GHz and 22 GHz. These self-biased power amplifiers provide 12 dB and 14 dB of gain, +36 dBm or +38 dBm of output IP3, and +26 dBm or +27 dBm of output power at 1 dB gain compression, while requiring only 350 mA from a +10 V supply. Gain flatness is excellent at +0.6 dB or +0.7 dB from 0.2 GHz to 22 GHz, making these devices ideal for EW, ECM, radar, and test equipment applications. The inputs/outputs of these devices are internally matched to 50 Ω for ease of integration into multichip modules (MCMs). The half-watt power amplifier SMT is packaged in a leadless, QFN, 5 × 5 mm, surface-mount package and requires no external matching components. All data is taken with the chip connected via two 0.025 mm (1 mil) wire bonds of minimal 0.31 mm (12 mils) length.

Applications

  • Test instrumentation
  • Microwave radio and VSAT
  • Military and space
  • Telecom infrastructure
  • Fiber optics

 
HMC907
HMC907 / HMC907LP5E

Half-Watt Power Amplifier Chip or SMT, 0.2 GHz to 22 GHz

HMC907_fbl HMC907LP5_fbl
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ハードウェア・エコシステム

製品モデル 製品ライフサイクル 詳細
HMC907APM5E
GaAs pHEMT MMIC パワー・アンプ、0.2 GHz ～ 22 GHz
HMC907A-Die
GaAs pHEMT MMIC Power Amplifier, 0.2 - 22 GHz
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ツールおよびシミュレーション

Sパラメータ 2

評価用キット
EVAL-HMC907LP5E
HMC907LP5E Evaluation Board

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