Quantic X-Microwave

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HMC797APM5E

製造中

GaAs pHEMT MMIC 1 Watt Power Amplifier, DC - 22 GHz

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製品情報

  • High P1dB Output Power: +29 dBm
  • High Psat Output Power:  +31 dBm
  • High Gain: 15 dB
  • High Output IP3: +41 dBm
  • Supply Voltage: +10 V @ 400 mA
  • 50 Ω Matched Input/Output
  • 32 Lead 5×5 mm SMT Package: 25 mm2

The HMC797APM5E is a GaAs MMIC pHEMT Distributed Power Amplifier which operates between DC and 22 GHz. The amplifier provides 15 dB of gain, +29 dBm of output power at 1 dB gain compression, +31 dBm of saturated output power, and 25% PAE while requiring 400 mA from a +10 V supply. With up to +41 dBm of output IP3, the HMC797APM5E is ideal for high linearity applications in military and space as well as test equipment where high order modulations are used. This versatile PA exhibits a positive gain slope from 2 to 20 GHz making it ideal for EW, ECM, Radar and test equipment applications. The HMC797APM5E amplifier I/Os are internally matched to 50 Ω facilitating integration into mutli-chip-modules (MCMs), is packaged in a leadless QFN 5x5 mm surface mount package, and requires no external matching components.

Applications

  • Test Instrumentation
  • Military & Space
  • Fiber Optics
HMC797APM5E
GaAs pHEMT MMIC 1 Watt Power Amplifier, DC - 22 GHz
HMC797APM5E Functional Block Diagram
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ツールおよびシミュレーション

ADIsimRF

ADIsimRFは使いやすいRFシグナル・チェーン計算ツールです。最大50段までのシグナル・チェーンについて、カスケード・ゲイン、ノイズ、歪み、消費電力を計算し、プロット、エクスポートが可能です。ADIsimRFには、アナログ・デバイセズのRFおよびミックスド・シグナル部品のデバイス・モデルの広範なデータ・ベースも含まれています。

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Sパラメータ 1

Keysight Genesys向けのSys-Parameterモデル

Sys-Parameterモデルは、デバイスの直線性と非直線性を明らかにするP1dB、IP3、ゲイン、ノイズ指数、リターン損失などの挙動パラメータを提供します。

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評価用キット

eval board
schematic 1
schematic 2
schematic 3
EVAL-HMC797APM5

ガリウム・砒素（GaAs）、pHEMT、MMICパワー・アンプ（DC～22GHz）のEV2HMC797APM5評価用ボード

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機能と利点

  • ヒート・スプレッダおよび広帯域表面実装バイアス・ティー回路付き2層Rogers 4350B評価用ボード
  • エンド起動、2.92mm RFコネクタ
  • スルー・キャリブレーション・パス

製品詳細

EV2HMC797APM5は、アルミ製ヒート・スプレッダに取り付けられた、厚さ10ミルのRogers 4350B、銅被覆を使用した2層のプリント回路基板（PCB）で構成されています。ヒート・スプレッダは、デバイスの熱放散を実現するほか、PCBを機械的に支持します。ヒート・スプレッダには取り付け穴があり、ヒート・シンクに取り付けて温度管理を改善できます。RFINポートとRFOUTポートは2.9mmメス同軸コネクタで装着されており、それぞれのRFパターンは50Ωの特性インピーダンスを持ちます。

EV2HMC797APM5には、EV1HMC797APM5との重要な違いが1つあります。EV1HMC994APM5が動作するにはRFOUTポートの外部コネクタ付きバイアス・ティーが必要ですが（詳細については、HMC797APM5Eのデータシートを参照）、EV2HMC797APM5はオンボード表面実装のバイアス・ティー回路を備えています。EV2HMC797APM5ではこの回路を使用して、ネットワーク・アナライザ、スペクトラム・アナライザなどのRF試験装置に直接接続できます。ただし、このオンボード表面実装バイアス・ティー回路では、動作周波数が約22GHzまでに制限されます（図3参照）。この回路の設計および動作については、AN-2061アプリケーション・ノートで詳しく説明しています。

EV2HMC797APM5には、HMC797APM5Eの全動作温度範囲での使用に適したコンポーネントが搭載されています。ボード・パターン損失を補正するため、J5コネクタとJ6コネクタの間にスルー・キャリブレーション・パス（THRU-CAL）が用意されています。スルー・キャリブレーション・パスを使用するには、J5およびJ6に2.92mmのRFコネクタを差し込む必要があります。スルー・キャリブレーション・パスの性能については、図4と表2を参照してください。電源電圧、グラウンド電圧、ゲート制御電圧、ディテクタ出力電圧には、2つの4ピン・ヘッダー（J3およびJ4）を通じてアクセスします（表1を参照）。

RFパターンは、50Ωで接地されたコプレーナ導波路です。パッケージのグラウンド・ピンと露出パドルは、グランド・プレーンに直接接続します。複数のビアを使用して上部と下部のグランド・プレーンを接続し、特にグラウンド・パドル直下の領域に焦点を当てて、ヒート・スプレッダへの適切な電気伝導と熱伝導を確保しています。

EV2HMC797APM5のデカップリング・コンデンサは、この回路の性能測定に使用される構成を表しています（詳細はAN-2061参照）。ACG2、ACG3/ACG4、VGG1、VGG2の各ピンに接続されているコンデンサの数を減らすことができますが、その数はシステムによって異なります。コンデンサの数を減らす場合は、最初は、HMC797APM5Eから最も遠い位置にある最大のコンデンサを取り除くことを推奨します。

HMC797APM5Eの詳細については、HMC797APM5Eのデータシートを参照してください。EV2HMC797APM5を使用する際は、このユーザ・ガイドと併せてHMC797APM5Eのデータシートも参照してください。
EVAL-HMC797APM5
ガリウム・砒素（GaAs）、pHEMT、MMICパワー・アンプ（DC～22GHz）のEV2HMC797APM5評価用ボード
EVAL-HMC797APM5 Angle View EVAL-HMC797APM5 Top View EVAL-HMC797APM5 Bottom View

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