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よく聞かれる質問（FAQ）
特長
- High P1dB output power: +28 dBm
- High PSAT output power: +29.5 dBm, +31 dBm
- High gain: 13.5 dB, 14.5 dB
- High output IP3: +39 dBm, +40 dBm
- Supply voltage: +10 V at 400 mA
- 50 Ω matched input/output
- Die size: 2.89 × 1.55 × 0.1 mm
- 32-lead, 5 × 5 mm, surface-mount technology (SMT) package
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The HMC797 devices are GaAs, monolithic microwave integrated circuit (MMIC), and PHEMT distributed power amplifiers which operate between dc and 22 GHz. These amplifiers provide up to 13.5 dB or 14.5 dB of gain, +39 dBm or +40 dBm of output IP3, and +28 dBm of output power at 1 dB gain compression, while requiring 400 mA from a +10 V supply. These versatile power amplifiers exhibit a positive gain slope from dc to 22 GHz, making them ideal for EW, ECM, radar, and test equipment applications. The inputs/outputs of these devices are internally matched to 50 Ω, facilitating integration into multichip modules (MCMs). All chip data is taken with the chip connected via two 0.025 mm (1 mil) wire bonds of minimal 0.31 mm (12 mils) length. The power amplifier SMT is packaged in a leadless, QFN, 5 × 5 mm, surface-mount package and requires no external matching components.
Applications
- Test instrumentation
- Microwave radio and VSAT
- Military and space
- Telecom infrastructure
- Fiber optics
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よく聞かれる質問（FAQ）
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利用上の注意
アナログ・デバイセズ社は、提供する情報が正確で信頼できるものであることを期していますが、その情報の利用に関して、あるいはその利用によって生じる第三者の特許やその他の権利の侵害に関して一切の責任を負いません。また、アナログ･デバイセズ社の特許または特許の権利の使用を明示的または暗示的に許諾するものでもありません。仕様は予告なしに変更する場合があります。本紙記載の商標および登録商標は、各社の所有に属します。
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ドキュメント
品質関連資料 3
テープ＆リール仕様 1
ソフトウェアおよび製品のエコシステム
| 製品モデル | 製品ライフサイクル | 詳細 |
|---|---|---|
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GaAs pHEMT MMIC 1 Watt Power Amplifier, DC - 22 GHz |
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GaAs pHEMT MMIC 1 Watt Power Amplifier, DC - 22 GHz |
評価用キット 1
EVAL-HMC797LP5E
HMC797LP5E Evaluation Board
資料
ツールおよびシミュレーション 1
Sパラメータ 2
Sパラメータ
