製品概要

機能と利点

  • 飽和出力電力: 25 % の PAE で +34 dBm
  • 高出力 IP3: +38 dBm
  • 高ゲイン: 23 dB
  • DC 電源: +6 V/1000 mA
  • 外部マッチング不要
  • ダイ・サイズ: 3.18 mm x 2.84 mm x 0.1 mm

製品概要

HMC7441 は 3 段構成の GaAs pHEMT パワー・アンプで、27.5 GHz ~ 31 GHz で動作します。このアンプは、6V 電源から 25 % の PAE で 23 dB のゲインと +34 dBm の飽和出力電力を実現します。出力 IP3 が +38 dBm と優れているので、34 dBm の効率的な飽和出力電力が必要な Ka バンド VSAT、大容量のポイント to ポイント無線やポイント to マルチポイント無線などのリニア・アプリケーションに最適です。マルチチップ・モジュール(MCM)に組み込みやすくするため、RF I/O は DC ブロックされており、50 Ω に整合しています。全てのデータは、直径 0.025 mm(1 mil)、長さ 0.31 mm(12 mil)のワイヤ・ボンドを使用し、チップを 50 Ω 試験装置に接続して得たものです。 

アプリケーション

  • ポイント to ポイント無線 
  • ポイント to マルチポイント無線 
  • VSAT および SATCOM 
  • 防衛および宇宙

製品ライフサイクル icon-recommended 新規設計にお薦めします

発売済みの製品です。データシートには、最終的な仕様と動作条件がすべて記載されています。新規の設計には、これらの製品の使用を推奨します。

ツール

Sys-Parameters

Sys-Parameter Models for Keysight Genesys

Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.

S-Parameters

設計ツール

ADIsimRF

アナログ・デバイセズのADIsimRF設計ツールは、カスケード・ゲインやノイズ指数、IP3、P1dB、総合消費電力などRFシグナル・チェーン内の最も重要なパラメータの計算を行います。

設計リソース

ADI has always placed the highest emphasis on delivering products that meet the maximum levels of quality and reliability. We achieve this by incorporating quality and reliability checks in every scope of product and process design, and in the manufacturing process as well.  "Zero defects" for shipped products is always our goal.

ディスカッション

HMC7441 Discussions

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