HMC637A-Die
製造中GaAs MMIC 1 W パワー・アンプ、DC ～ 6 GHz
- 製品モデル
- 1
- 1Ku当たりの価格
- 価格は未定
製品情報
- P1dB 出力電力: +30.5 dBm
- ゲイン: 14 dB
- 出力 IP3: +41 dBm
- バイアス電源: +12 V、+6 V、-1 V
- 50 Ω に整合した入出力
- ダイ・サイズ: 2.98 mm x 2.48 mm x 0.1 mm
HMC637A は GaAs MMIC MESFET 分布型パワー・アンプ・ダイで、動作範囲は DC ～ 6 GHz です。このアンプは、14 dB のゲイン、+41 dBm の出力 IP3、1 dB ゲイン圧縮ポイントでの +30.5 dBm の出力電力を提供し、+12 V 電源から 400mA を必要とします。HMC637A は DC ～ 6 GHz のゲイン平坦度が ±0.5 dB と良好なため、EW、ECM、レーダー、試験装置などのアプリケーションに最適です。
HMC637A アンプの I/O は内部で 50 Ω に整合しているため、マルチチップ・モジュール（MCM）に容易に組み込むことができます。全てのデータは、チップを最短 0.31 mm（12 mil）の 2 本の 0.025 mm（1 mil）ワイヤ・ボンドで接続して測定したものです。
アプリケーション
- テレコム･インフラストラクチャ
- マイクロ波無線および VSAT
- 防衛および宇宙
- 試験用計測器
- 光ファイバ
ドキュメント
データシート 1
アプリケーション・ノート 5
製造中止品のデータシート 1
製品選択ガイド 1
| 製品モデル | ピン／パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
|---|---|---|---|
| HMC637A | CHIPS OR DIE |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
ソフトウェア・リソース
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ADIsimRF
ADIsimRFは使いやすいRFシグナル・チェーン計算ツールです。最大50段までのシグナル・チェーンについて、カスケード・ゲイン、ノイズ、歪み、消費電力を計算し、プロット、エクスポートが可能です。ADIsimRFには、アナログ・デバイセズのRFおよびミックスド・シグナル部品のデバイス・モデルの広範なデータ・ベースも含まれています。
ツールを開くKeysight Genesys向けのSys-Parameterモデル
Sys-Parameterモデルは、デバイスの直線性と非直線性を明らかにするP1dB、IP3、ゲイン、ノイズ指数、リターン損失などの挙動パラメータを提供します。
ツールを開くSパラメータ 1
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