類似製品

最新情報 (1)

製品概要

機能と利点

  • P1dB 出力電力: +30.5 dBm
  • ゲイン: 14 dB
  • 出力 IP3: +41 dBm
  • バイアス電源: +12 V、+6 V、-1 V
  • 50 Ω に整合した入出力
  • ダイ・サイズ: 2.98 mm x 2.48 mm x 0.1 mm

製品概要

HMC637A は GaAs MMIC MESFET 分布型パワー・アンプ・ダイで、動作範囲は DC ~ 6 GHz です。このアンプは、14 dB のゲイン、+41 dBm の出力 IP3、1 dB ゲイン圧縮ポイントでの +30.5 dBm の出力電力を提供し、+12 V 電源から 400mA を必要とします。HMC637A は DC ~ 6 GHz のゲイン平坦度が ±0.5 dB と良好なため、EW、ECM、レーダー、試験装置などのアプリケーションに最適です。

HMC637A アンプの I/O は内部で 50 Ω に整合しているため、マルチチップ・モジュール(MCM)に容易に組み込むことができます。全てのデータは、チップを最短 0.31 mm(12 mil)の 2 本の 0.025 mm(1 mil)ワイヤ・ボンドで接続して測定したものです。

アプリケーション

  • テレコム・インフラストラクチャ
  • マイクロ波無線および VSAT
  • 防衛および宇宙
  • 試験用計測器
  • 光ファイバ

製品ライフサイクル icon-recommended 製造中

この製品ファミリーの1つ以上の型番が生産/供給中です。新規の設計に適していますが、より新しい代替製品を提供している場合があります。

ツール

Sys-Parameters

Sys-Parameter Models for Keysight Genesys

Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.

設計ツール

ADIsimRF

アナログ・デバイセズのADIsimRF設計ツールは、カスケード・ゲインやノイズ指数、IP3、P1dB、総合消費電力などRFシグナル・チェーン内の最も重要なパラメータの計算を行います。

設計リソース

アナログ・デバイセズでは、最高レベルの品質と信頼性を備えた製品を提供することに最大の力を常に注いでいます。これを実現するため、製品およびプロセスの設計のあらゆる観点で品質と信頼性のチェックを行っています。そして、それは、製造工程においても同様です。アナログ・デバイセズは常に、出荷製品の「ゼロ・ディフェクト」を目指しています。

サンプル&購入

オンライン購入や支払い方法などに関する質問については、「オンライン購入に関するFAQ」をご確認ください。

サンプルは、外部のADI Sample Siteでのご注文となります。選択したパーツはSample Siteログイン後、カートに引き継がれます。Sample Siteを初めて使用する際は、アカウント登録をお願いいたします。Sample Siteに関するご質問は、SampleSupport@analog.com までお問合せください。

 

モデル一覧の項目説明