HMC637A-Die
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HMC637A-Die

GaAs MMIC 1 W パワー・アンプ、DC ~ 6 GHz

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製品モデル 1
1Ku当たりの価格
価格は未定
特長
  • P1dB 出力電力: +30.5 dBm
  • ゲイン: 14 dB
  • 出力 IP3: +41 dBm
  • バイアス電源: +12 V、+6 V、-1 V
  • 50 Ω に整合した入出力
  • ダイ・サイズ: 2.98 mm x 2.48 mm x 0.1 mm
製品概要
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HMC637A は GaAs MMIC MESFET 分布型パワー・アンプ・ダイで、動作範囲は DC ~ 6 GHz です。このアンプは、14 dB のゲイン、+41 dBm の出力 IP3、1 dB ゲイン圧縮ポイントでの +30.5 dBm の出力電力を提供し、+12 V 電源から 400mA を必要とします。HMC637A は DC ~ 6 GHz のゲイン平坦度が ±0.5 dB と良好なため、EW、ECM、レーダー、試験装置などのアプリケーションに最適です。

HMC637A アンプの I/O は内部で 50 Ω に整合しているため、マルチチップ・モジュール(MCM)に容易に組み込むことができます。全てのデータは、チップを最短 0.31 mm(12 mil)の 2 本の 0.025 mm(1 mil)ワイヤ・ボンドで接続して測定したものです。

アプリケーション

  • テレコム・インフラストラクチャ
  • マイクロ波無線および VSAT
  • 防衛および宇宙
  • 試験用計測器
  • 光ファイバ

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アナログ・デバイセズ社は、提供する情報が正確で信頼できるものであることを期していますが、その情報の利用に関して、あるいはその利用によって生じる第三者の特許やその他の権利の侵害に関して一切の責任を負いません。また、アナログ・デバイセズ社の特許または特許の権利の使用を明示的または暗示的に許諾するものでもありません。仕様は予告なしに変更する場合があります。本紙記載の商標および登録商標は、各社の所有に属します。


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なお、日本語版のデータシートは基本的に「Rev.0」(リビジョン0)で作成されています。そのため、英語版が後に改訂され、複数製品のデータシートがひとつに統一された場合、同じ「Rev.0」の日本語版のデータシートが異なる製品のデータシートとして表示されることがあります。たとえば、「ADM3307E」の場合、日本語データシートをクリックすると「ADM3311E」が表示されます。これは、英語版のデータシートが複数の製品で共有できるように1本化され、「ADM3307E/ADM3310E/ADM3311E/ADM3312E/ADM3315E」(Rev.G)と改訂されたからで、決して誤ってリンクが張られているわけではありません。和文化されたデータシートを少しでも有効に活用していただくためにこのような方法をとっておりますので、ご了解ください。

ドキュメント

アナログ・デバイセズは、最高レベルの品質と信頼性を満たす製品を供給することを常に最重要視しています。これを実現するため、製品、プロセス設計、更には製造プロセスに対しあらゆる観点から品質と信頼性のチェックを行っています。アナログ・デバイセズでは出荷製品に対する「ゼロ・ディフェクト」を常に目指しています。詳細については、アナログ・デバイセズの品質および信頼性プログラム、認証のページを参照してください。
製品モデル ピン/パッケージ図 資料 CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル
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