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HMC635 Die Data Sheet10/19/2015PDF645 K
製品概要
機能と利点
- ゲイン: 19.5 dB
- P1dB: +23 dBm
- 出力 IP3: +29 dBm
- 飽和電力:
15% の PAE で +24 dBm - 電源電圧: +5 V/280 mA
- 50 Ω に整合した入出力
- ダイ・サイズ: 1.95 mm x 0.84 mm x 0.10 mm
製品概要
HMC635 は、GaAs PHEMT MMIC ドライバ・アンプ・ダイで、動作範囲は 18 GHz ～ 40 GHz です。このアンプは、19.5 dB のゲイン、+29 dBm の出力 IP3、1 dB ゲイン圧縮ポイントでの +23 dBm の出力電力を提供し、+5V 電源から 280 mA を必要とします。マイクロ波無線アプリケーションのドライバ・アンプや、18 GHz ～ 40 GHz で動作するミキサーの LO ドライバとして最適な HMC635 は、15 % の PAE で最大 +24 dBm の飽和出力電力を供給することができます。このアンプの I/O は DC ブロックされ内部で 50 Ω に整合しているため、マルチチップ・モジュール（MCM）に組み込むのに最適です。全てのデータは、ダイの入出力 RF ポートを長さ 500μm の 2本の 1 mil ウェッジ・ボンドで接続して測定したものです。
アプリケーション
- ポイント to ポイント無線
- ポイント to マルチポイント無線および VSAT
- ミキサー用 LO ドライバ
- 防衛および宇宙
製品ライフサイクル
製造中
この製品ファミリーの1つ以上の型番が生産／供給中です。新規の設計に適していますが、より新しい代替製品を提供している場合があります。
参考資料
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AN-1604: LFCSP パッケージおよびフランジ・パッケージに収容された RF アンプの温度管理計算 (Rev. 0)8/9/2019PDF247 K
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Thermal Management for Surface Mount Components General Application Note11/11/2015PDF189 K
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RF/マイクロ波/ミリ波IC セレクション・ガイド11/2/2022PDF7 M
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Semiconductor Qualification Test Report: PHEMT-F (QTR: 2013-00269)10/29/2015PDF824 K
ツールおよびシミュレーション
Sys-Parameters
Sys-Parameter Models for Keysight Genesys
Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.
S-Parameters
PDF
HMC635 Die S-Parameters
693.88 K
設計ツール
ADIsimRF
アナログ・デバイセズのADIsimRF設計ツールは、カスケード・ゲインやノイズ指数、IP3、P1dB、総合消費電力などRFシグナル・チェーン内の最も重要なパラメータの計算を行います。
設計リソース
アナログ・デバイセズでは、最高レベルの品質と信頼性を備えた製品を提供することに最大の力を常に注いでいます。これを実現するため、製品およびプロセスの設計のあらゆる観点で品質と信頼性のチェックを行っています。そして、それは、製造工程においても同様です。アナログ・デバイセズは常に、出荷製品の「ゼロ・ディフェクト」を目指しています。詳細についてはアナログ・デバイセズの品質および信頼性プログラム/認定証をご覧ください。
| 製品番号 | 材料宣誓書（MD） | 信頼性データ | ピン/パッケージ図 | CADシンボル、フットプリント & 3Dモデル |
|---|---|---|---|---|
| HMC635 | 材料宣誓書（MD） | 信頼性データ | CHIPS OR DIE | |
| HMC635-SX | 材料宣誓書（MD） | 信頼性データ | CHIPS OR DIE | |
| ウェハ・ファブリケーション・データ |
サポート ＆ ディスカッション
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