製品概要

機能と利点

  • P1dB 出力電力: +28 dBm
  • ゲイン: 14 dB
  • 出力 IP3: +36 dBm
  • 電源電圧: +10 V/400 mA 
  • 50 Ω に整合した入出力
  • ダイ・サイズ: 3.12 mm x 1.50 mm x 0.1 mm

製品概要

HMC559 は、GaAs MMIC PHEMT ベースの分布型パワー・アンプ・ダイで、動作範囲は DC ~ 20 GHz です。このアンプは、14 dB のゲイン、+36 dBm の出力 IP3、1 dB ゲイン圧縮ポイントでの +28 dBm の出力電力を提供し、+10 V 電源から 400 mA を必要とします。HMC559 は 4 GHz ~ 20 GHz のゲイン平坦性の傾きがわずかに正であるため、EW、ECM、レーダー・ドライバ・アンプなどのアプリケーションに最適です。HMC559 アンプの I/O は内部で 50 Ω に整合しているため、マルチチップ・モジュール(MCM)に容易に組み込むことができます。全てのデータは、チップを最短 0.31 mm(12 mil)の 2 本の 0.075 mm(3 mil)リボン・ボンドで接続して測定したものです。 

アプリケーション

  • テレコム・インフラストラクチャ 
  • マイクロ波無線および VSAT 
  • 防衛および宇宙 
  • 試験用計測器 
  • 光ファイバ

製品ライフサイクル icon-recommended 新規設計にお薦めします

発売済みの製品です。データシートには、最終的な仕様と動作条件がすべて記載されています。新規の設計には、これらの製品の使用を推奨します。

ツール

Sys-Parameters

Sys-Parameter Models for Keysight Genesys

Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.

S-Parameters

設計ツール

ADIsimRF

アナログ・デバイセズのADIsimRF設計ツールは、カスケード・ゲインやノイズ指数、IP3、P1dB、総合消費電力などRFシグナル・チェーン内の最も重要なパラメータの計算を行います。

設計リソース

アナログ・デバイセズでは、最高レベルの品質と信頼性を備えた製品を提供することに最大の力を常に注いでいます。これを実現するため、製品およびプロセスの設計のあらゆる観点で品質と信頼性のチェックを行っています。そして、それは、製造工程においても同様です。アナログ・デバイセズは常に、出荷製品の「ゼロ・ディフェクト」を目指しています。

サンプル&購入


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