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HMC455 Data Sheet4/22/2015
製品概要
機能と利点
- 出力 IP3: +42 dBm
- ゲイン: 13 dB
- +28 dBm の Pout で 56% の PAE
- -45 dBc の ACPR で +19 dBm の W-CDMA チャンネル電力
- 3 mm x 3 mm QFN SMT パッケージ
製品概要
HMC455LP3(E) は、高出力 IP3 の GaAs InGaP ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ（HBT）を使用した 1⁄2 W MMIC アンプで、動作範囲は 1.7 GHz ～ 2.5 GHz です。使用する外付け部品数が最小限のこのアンプは、単一の +5 V DC 電源電圧から 56% の PAE で 13 dB のゲインと +28 dBm の飽和電力を確保します。+42 dBm の高出力 IP3 と 1.4:1 の低 VSWR を組み合わせた HMC455LP3(E) は、PCS／3G ワイヤレス・インフラストラクチャに最適なドライバ・アンプです。このリニア・アンプは、低価格のリードレス 3 mm x 3 mm QFN 表面実装パッケージ（LP3）を採用しています。LP3 は、優れた RF 性能と熱性能を実現するエクスポーズド・パッドを備えています。
アプリケーション
- マルチキャリア・システム
- GSM、GPRS および EDGE
- CDMA および WCDMA
- PHS
製品ライフサイクル
新規設計にお薦めします
発売済みの製品です。データシートには、最終的な仕様と動作条件がすべて記載されています。新規の設計には、これらの製品の使用を推奨します。
評価キット (1)
参考資料
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RF/マイクロ波/ミリ波IC セレクション・ガイド11/2/2022
ツールおよびシミュレーション
Sys-Parameters
Sys-Parameter Models for Keysight Genesys
Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.
S-Parameters
ZIP
HMC455 S-Parameter
6.08 K
設計ツール
ADIsimRF
アナログ・デバイセズのADIsimRF設計ツールは、カスケード・ゲインやノイズ指数、IP3、P1dB、総合消費電力などRFシグナル・チェーン内の最も重要なパラメータの計算を行います。
設計リソース
アナログ・デバイセズでは、最高レベルの品質と信頼性を備えた製品を提供することに最大の力を常に注いでいます。これを実現するため、製品およびプロセスの設計のあらゆる観点で品質と信頼性のチェックを行っています。そして、それは、製造工程においても同様です。アナログ・デバイセズは常に、出荷製品の「ゼロ・ディフェクト」を目指しています。詳細についてはアナログ・デバイセズの品質および信頼性プログラム/認定証をご覧ください。
| 製品番号 | 材料宣誓書（MD） | 信頼性データ | ピン/パッケージ図 | CADシンボル、フットプリント & 3Dモデル |
|---|---|---|---|---|
| HMC455LP3E | 材料宣誓書（MD） | 信頼性データ | 16-Lead QFN (3mm x 3mm w/ EP) | |
| HMC455LP3ETR | 材料宣誓書（MD） | 信頼性データ | 16-Lead QFN (3mm x 3mm w/ EP) | |
| ウェハ・ファブリケーション・データ |
PCN-PDN情報
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サポート ＆ ディスカッション
HMC455 Discussions
サンプル＆購入
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リスト価格
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analog.comサイトから購入できるボードは、最大で2枚までとなります。3枚以上の購入をご希望の場合は、正規販売代理店からご購入ください。
価格は1個当たりの米ドルで、米国内における販売価格（FOB）で表示されておりますので、予算のためにのみご使用いただけます。 また、その価格は変更されることがあります。米国以外のお客様への価格は、輸送費、各国の税金、手数料、為替レートにより決定されます。価格・納期等の詳細情報については、弊社正規販売代理店または担当営業にお問い合わせください。なお、 評価用ボードおよび評価用キットの表示価格は1個構成としての価格です。