HMC455
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HMC455

1/2 W 高 IP3 アンプ、SMT、1.7 GHz ~ 2.5 GHz

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よく聞かれる質問(FAQ)

製品モデル 2
1Ku当たりの価格
価格は未定
特長
  • 出力 IP3: +42 dBm
  • ゲイン: 13 dB
  • +28 dBm の Pout で 56% の PAE
  • -45 dBc の ACPR で +19 dBm の W-CDMA チャンネル電力
  • 3 mm x 3 mm QFN SMT パッケージ
製品概要
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HMC455LP3(E) は、高出力 IP3 の GaAs InGaP ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ(HBT)を使用した 1⁄2 W MMIC アンプで、動作範囲は 1.7 GHz ~ 2.5 GHz です。使用する外付け部品数が最小限のこのアンプは、単一の +5 V DC 電源電圧から 56% の PAE で 13 dB のゲインと +28 dBm の飽和電力を確保します。+42 dBm の高出力 IP3 と 1.4:1 の低 VSWR を組み合わせた HMC455LP3(E) は、PCS/3G ワイヤレス・インフラストラクチャに最適なドライバ・アンプです。このリニア・アンプは、低価格のリードレス 3 mm x 3 mm QFN 表面実装パッケージ(LP3)を採用しています。LP3 は、優れた RF 性能と熱性能を実現するエクスポーズド・パッドを備えています。 

アプリケーション

  • マルチキャリア・システム
  • GSM、GPRS および EDGE
  • CDMA および WCDMA
  • PHS

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ドキュメント

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製品モデル ピン/パッケージ図 資料 CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル
HMC455LP3E
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