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よく聞かれる質問(FAQ)
特長
- ゲイン: 17 dB
- 飽和電力: +29 dBm
- 38% の PAE
- 電源電圧: +5 V
- パワーダウン機能
- 少ない外付け部品数
HMC406MS8G(E) は、高効率 GaAs InGaP ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ(HBT)を使用した MMIC パワー・アンプで、動作範囲は 5 GHz ~ 6 GHz です。このアンプは、RF 性能と熱性能を改善するために、低価格のエクスポーズド・パッド付き 8 ピン表面実装パッケージを採用しています。外付け部品が最小限のこのアンプは、+5 V 電源電圧から 38% の PAE で 17 dB のゲインと +29 dBm の飽和電力を提供します。Vpd ピンを使って、フル・パワーダウンや RF 出力の電力/電流制御を行うことができます。
アプリケーション
- UNII
- HiperLAN および 802.11a WLAN
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よく聞かれる質問(FAQ)
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HMC406
資料
Filters
1つが該当
アプリケーション・ノート
3
HTML
HTML
HTML
利用上の注意
アナログ・デバイセズ社は、提供する情報が正確で信頼できるものであることを期していますが、その情報の利用に関して、あるいはその利用によって生じる第三者の特許やその他の権利の侵害に関して一切の責任を負いません。また、アナログ・デバイセズ社の特許または特許の権利の使用を明示的または暗示的に許諾するものでもありません。仕様は予告なしに変更する場合があります。本紙記載の商標および登録商標は、各社の所有に属します。
本データシートの英語以外の言語への翻訳はユーザの便宜のために提供されるものであり、リビジョンが古い場合があります。最新の内容については、必ず最新の英語版をご参照ください。
なお、日本語版のデータシートは基本的に「Rev.0」(リビジョン0)で作成されています。そのため、英語版が後に改訂され、複数製品のデータシートがひとつに統一された場合、同じ「Rev.0」の日本語版のデータシートが異なる製品のデータシートとして表示されることがあります。たとえば、「ADM3307E」の場合、日本語データシートをクリックすると「ADM3311E」が表示されます。これは、英語版のデータシートが複数の製品で共有できるように1本化され、「ADM3307E/ADM3310E/ADM3311E/ADM3312E/ADM3315E」(Rev.G)と改訂されたからで、決して誤ってリンクが張られているわけではありません。和文化されたデータシートを少しでも有効に活用していただくためにこのような方法をとっておりますので、ご了解ください。
ドキュメント
データシート 1
アプリケーション・ノート 1
品質関連資料 4
製品選択ガイド 1
テープ&リール仕様 1
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
---|---|---|---|
HMC406MS8GE | 8-Lead MSOP w/ EP |
|
|
HMC406MS8GETR | 8-Lead MSOP w/ EP |
|
- HMC406MS8GE
- ピン/パッケージ図
- 8-Lead MSOP w/ EP
- 資料
- HTML Material Declaration
- HTML Reliablity Data
- CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル
- Ultra Librarian
- SamacSys
- HMC406MS8GETR
- ピン/パッケージ図
- 8-Lead MSOP w/ EP
- 資料
- HTML Material Declaration
- HTML Reliablity Data
- CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル
- Ultra Librarian
- SamacSys
モデルでフィルタ
製品モデル
製品ライフサイクル
PCN
5 6, 2019
- 19_0063
Assembly Site Transfer of Select MSOP and SOIC_N E-pad Devices to Carsem Malaysia
HMC406MS8GE
製造中
HMC406MS8GETR
製造中
モデルでフィルタ
製品モデル
製品ライフサイクル
PCN
5 6, 2019
- 19_0063
Assembly Site Transfer of Select MSOP and SOIC_N E-pad Devices to Carsem Malaysia
HMC406MS8GE
製造中
HMC406MS8GETR
製造中